[发明专利]一种同时产生电离和位移缺陷信号的器件及其制备方法

权利要求书

1.一种同时产生电离和位移缺陷信号的器件，其特征在于，所述器件包括集电区、基区、n个发射区、发射极、基极和集电极；

集电区位于基区的外围，所述集电区的掺杂浓度小于1E15/cm³；

所述基区的外边缘为长方形，基区外边缘的长边距集电区外边缘的距离d的范围为0.1~300μm，基区外边缘的宽边距集电区外边缘的距离e的范围为0.1~300μm；

基区掺杂浓度为1E15/cm³~1E17/cm³；

以基区中心坐标为中心，形成n个长方形的发射区，n为大于1的正整数；

所述发射区的长边a与宽边b的比值在500:1~1:500范围内，扩散结深度在0.1μm至3.0μm之间；相邻两个发射区的间距不小于a/2、不大于5a；

发射区掺杂浓度为5E15/cm³~1E20/cm³；

发射极同时从n个发射区的顶部引出，基极从基区的顶部引出；

集电极从集电区的底部引出。

2.根据权利要求1所述的同时产生电离和位移缺陷信号的器件，其特征在于，所述集电区、基区、n个发射区之间设置有隔离区。

3.根据权利要求1所述的同时产生电离和位移缺陷信号的器件，其特征在于，所述集电区掺杂的元素为硼或磷元素。

4.根据权利要求1所述的同时产生电离和位移缺陷信号的器件，其特征在于，所述基区掺杂的元素为磷或硼元素。

5.根据权利要求1所述的同时产生电离和位移缺陷信号的器件，其特征在于，所述发射区掺杂的元素为硼或磷元素。

6.权利要求2所述的同时产生电离和位移缺陷信号的器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

步骤一：制备硅材料的衬底；

步骤二：在衬底上制备埋层；

步骤三：进行第一次光刻，去除全部二氧化硅后，外延生长一层掺杂的硅，获得外延层，该外延层为集电区；

步骤四：在外延层上生长一层二氧化硅，然后进行第二次光刻，在外延层上刻蚀出集电区、基区和发射区之间的隔离区窗口，接着在隔离区窗口内预淀积或离子注入相应的杂质元素，并再扩散或者退火使杂质推进到设定距离，形成隔离区；

步骤五：进行第三次光刻，刻蚀出集电极窗口，再注入或扩散相应的N型掺杂元素并退火，形成重掺杂的N型接触窗口；

步骤六：再在外延层上进行第四次光刻，刻蚀出基区窗口，然后在基区窗口内注入相应掺杂元素并退火、扩散，形成基区；

步骤七：在基区上生长一层氧化物，进行第五次光刻，刻蚀出发射区窗口，然后在发射区窗口内注入相应掺杂元素并退火、扩散，形成发射区；

步骤八：在基区和发射区淀积二氧化硅后，进行第六次光刻，分别在基区刻蚀出P型触窗口，在发射区刻蚀出N型接触窗口，刻蚀出基极窗口和发射极窗口；

步骤九：进行第七次光刻，形成互联金属布线，最后生长钝化层，封装器件。