[发明专利]一类Dy掺杂Ln2O3-Al2O3二元体系黄光激光晶体

权利要求书

1.一类Dy掺杂Ln₂O₃-Al₂O₃二元体系黄光激光晶体材料，其特征在于，该体系晶体材料的化学式为：Dy掺杂的Ln₂O₃(Ln为Y和镧系元素)和Al₂O₃组成的一类无机化合物，如Dy:YAlO₃，Dy:LuAlO₃，Dy:LaAlO₃，Dy:Y₃Al₅O₁₂，Dy:Lu₃Al₅O₁₂等。

2.根据权利要求1所述的晶体材料，其特征在于，所述晶体材料的吸收光谱中含有峰值为445～450nm附近的吸收峰。

3.根据权利要求2所述的晶体材料，其特征在于，所述晶体材料的吸收光谱中峰值波长位于450nm附近的吸收峰截面积不小于0.7×10^-21cm²。

4.根据权利要求1所述的晶体材料，其特征在于，所述晶体材料450nm泵浦下的荧光光谱中在可见光波段含有两个荧光峰；所述两个荧光峰的峰值分别在470nm～498nm之间和558nm～600nm之间；优选地，所述两个荧光峰的峰值分别为483nm和576nm。

5.制备权利要求1至4任一项所述晶体材料的方法，其特征在于，至少包括以下步骤：将含有镝源、镧源(或镥源、釓源、钇源)和铝源的原料通过高温固相法制备得到所述晶体材料的多晶体；然后采用提拉法或微下拉法生长得到所述晶体材料的单晶体。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述镝源是纯度为99.99％的Dy₂O₃；所述镧源是4N级的La₂O₃；所述镥源、釓源、钇源是4N级的Lu₂O₃、Gd₂O₃和Y₂O₃；所述铝源是4N级的Al₂O₃；所述原料中各元素的摩尔比例按照各分子式进行配比。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述微下拉法或熔体提拉法以本征晶体作为籽晶，籽晶杆的微下拉法或提拉速率分别为2～5mm/h或1.0～1.5mm/h，降温速率为1～10℃/h，籽晶杆的转动速率为12～15r.p.m.；生长结束后，将晶体提离液面，以8～25℃/h的速率降至室温，得到所述晶体材料的单晶体；所得单晶体至少有一个维度的尺寸超过10mm；优选地，所得单晶体至少有一个维度的尺寸超过20mm。

8.权利要求1至5任一项所述晶体材料和/或根据权利要求6至7任一项所述方法制备得到的晶体材料用于450nm泵浦下实现波长位于550nm～600nm之间中红外超快激光的输出。

9.一种激光器，其特征在于，包括权利要求1至5任一项所述晶体材料和/或根据权利要求6至8任一项所述方法制备得到的晶体材料；所述激光器在450nm泵浦下实现550～600nm波段的黄光激光输出。