[发明专利]一种发光二极管的在轨性能退化预测方法

权利要求书

1.一种发光二极管的在轨性能退化预测方法，其特征在于，所述在轨性能退化预测方法包括：

步骤一、通过对发光二极管进行地面辐照试验，获得具有普适性的发光二极管的性能退化数据随位移吸收剂量的变化曲线；

步骤二、根据预定的航天器轨道和航天器的设计在轨寿命，计算航天器轨道的位移吸收剂量，航天器轨道的位移吸收剂量即为发光二极管的在轨位移吸收剂量；

步骤三、根据具有普适性的发光二极管的性能退化数据随位移吸收剂量的变化曲线以及发光二极管的在轨位移吸收剂量，获得发光二极管的在轨性能退化数据；

具有普适性的发光二极管的性能退化数据随位移吸收剂量的变化曲线的获得方法包括：

步骤一一、确定发光二极管的辐照敏感部位的厚度t₁；

步骤一二、采用多种带电粒子分别对多个发光二极管进行地面辐照试验，并获得多条发光二极管的光性能参数随带电粒子辐照注量的变化曲线；

多个发光二极管的型号均相同；

对于每种带电粒子，初始能量下的带电粒子的射程大于或等于4t₁且满足DD＞1.4×10^-13rad/(1/cm²)，其中，DD为带电粒子在辐照敏感部位的位移损伤能力；

步骤一三、将多条发光二极管的光性能参数随带电粒子辐照注量的变化曲线分别转换为多条发光二极管的性能退化数据随位移吸收剂量的变化曲线；

步骤一四、将多条发光二极管的性能退化数据随位移吸收剂量的变化曲线拟合为一条曲线；

该曲线即为具有普适性的发光二极管的性能退化数据随位移吸收剂量的变化曲线。

2.如权利要求1所述的发光二极管的在轨性能退化预测方法，其特征在于，在步骤一二中，对于每种带电粒子，至少选择5个辐照注量点，所述5个辐照注量点均位于10⁶/cm²～10¹⁴/cm²的辐照注量区间内。

3.如权利要求2所述的发光二极管的在轨性能退化预测方法，其特征在于，步骤一二通过蒙特卡罗算法确定带电粒子的初始能量。

4.如权利要求3所述的发光二极管的在轨性能退化预测方法，其特征在于，步骤一三通过蒙特卡罗算法计算初始能量下的带电粒子的位移损伤能力，进而获得位移吸收剂量。

5.如权利要求4所述的发光二极管的在轨性能退化预测方法，其特征在于，步骤二通过蒙特卡罗方法计算航天器轨道的位移吸收剂量。