[发明专利]一种硅基MEMS微半球阵列的制备方法在审
| 申请号： | 201810139738.4 | 申请日： | 2018-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN108439327A | 公开（公告）日： | 2018-08-24 |
| 发明（设计）人： | 马铁英;吴宝健;金晶 | 申请（专利权）人： | 中国计量大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310018 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅片 腐蚀 光刻 缓冲氢氟酸 二氧化硅 腐蚀液 放入 制备 半球阵列 次光 硅基 | ||
1.一种硅基MEMS微半球阵列的制备方法，其特征在于：所述的制备方法是首先将氧化好的硅片进行第一次光刻并用缓冲氢氟酸局部去掉二氧化硅得到光刻硅片一号，然后将光刻硅片一号放入恒温腐蚀液中进行第一次腐蚀得到腐蚀硅片一号，再把腐蚀硅片一号进行第二次光刻并用缓冲氢氟酸局部去掉二氧化硅得到光刻硅片二号，再然后将光刻硅片二号放入恒温腐蚀液中进行第二次腐蚀得到腐蚀硅片二号，再将腐蚀硅片二号进行第三次光刻并用缓冲氢氟酸局部去掉二氧化硅得到光刻硅片三号，然后将光刻硅片三号放入恒温腐蚀液中进行第三次腐蚀得到腐蚀硅片三号，最后将腐蚀硅片三号用缓冲氢氟酸全部去掉二氧化硅再放入恒温腐蚀液中进行第四次腐蚀得到最终的硅基MEMS微半球阵列。
2.根据权利要求1所述的一种硅基MEMS微半球阵列的制备方法，其特征在于：所述的第一次光刻是将掩膜板上直径为50微米间隔为50微米的阵列圆形转移到氧化好的硅片上。
3.根据权利要求1所述的一种硅基MEMS微半球阵列的制备方法，其特征在于：所述的缓冲氢氟酸是按照3ml氢氟酸∶6g氟化铵∶10ml水的比例配制而成的。
4.根据权利要求1所述的一种硅基MEMS微半球阵列的制备方法，其特征在于：所述的恒温腐蚀液是TritonX-100浓度为0.1％的25％四甲基氢氧化铵水溶液；恒温温度是70度。
5.根据权利要求1所述的一种硅基MEMS微半球阵列的制备方法，其特征在于：所述的第一次腐蚀时间是40分钟；所述的第二次腐蚀时间是35分钟；所述的第三次腐蚀时间是28分钟；所述的第四次腐蚀时间是18分钟。
6.根据权利要求1所述的一种硅基MEMS微半球阵列的制备方法，其特征在于：所述的第二次光刻是将掩膜板上直径为30微米间隔为50微米的阵列圆形转移到腐蚀硅片一号上。
7.根据权利要求1所述的一种硅基MEMS微半球阵列的制备方法，其特征在于：所述的第三次光刻是将掩膜板上直径为10微米间隔为50微米的阵列圆形转移到腐蚀硅片二号上。
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