[发明专利]一种纳米线状有机单晶晶畴的制备方法

权利要求书

1.一种纳米线状有机单晶晶畴的制备方法，其特征在于所述方法为：

步骤(1)，将铜基石墨烯裁剪成所需尺寸，然后通过旋涂仪在铜基石墨烯的表面旋涂2-5微米厚的PMMA，利用传统的湿法转移方法将铜基石墨烯上的石墨烯转移到硅片基底，所述铜基石墨烯为利用化学气相沉积法在铜箔基底上制备的单层石墨烯，所述硅片基底为有氧化层的单晶硅基片；

步骤(2)，将硅片基底置于丙酮中浸泡5分钟后，捞出晾干，得到有PMMA残留的石墨烯基底；

步骤(3)，将有PMMA残留的石墨烯基底置于管式加热炉中进行高温退火处理，把有PMMA残留的石墨烯基底加热至500℃，并在500℃保持1小时，然后在管式加热炉中冷却至室温，得到干净的石墨烯基底；

步骤(4)，将干净的石墨烯基底装载到高真空腔体中，利用热沉积法制备并五苯分子薄膜，将并五苯分子薄膜沉积到干净的石墨烯基底的表面。

2.根据权利要求1所述一种纳米线状有机单晶晶畴的制备方法，其特征在于，在步骤(2)，所述丙酮的温度为室温，硅片基底的表面积与丙酮的使用量之比为1×1cm²：25ml。

3.根据权利要求1所述一种纳米线状有机单晶晶畴的制备方法，其特征在于，在步骤(3)，所述管式加热炉中充满氩气和氢气，氩气为600sccm，氢气为50sccm。

4.根据权利要求1所述一种纳米线状有机单晶晶畴的制备方法，其特征在于，在步骤(4)，所述高真空腔体具备用于热沉积并五苯材料的束源炉，且高真空腔体的真空度为1×10^-7torr，在热沉积并五苯材料时，所述束源炉加热至400℃，并五苯材料沉积速率保持在1.0纳米/分钟。