[发明专利]在MnCoGe基合金中实现磁结构耦合相变的方法

权利要求书

1.一种在MnCoGe基合金中实现磁结构耦合相变的方法，其特征在于，利用不同元素间电负性的差异，通过调节Mn/Ge或Co/Ge的比例，设计MnCoGe合金成分，改变Mn-Mn间距和Mn原子局域磁矩，从而获得温度和磁场诱导的剧烈的磁结构耦合相变；

所述MnCoGe合金的化学式为Mn_1-xCoGe_1+x，其中，0.01≤x≤0.21；或

所述MnCoGe合金的化学式为Mn_1+xCoGe_1-x，其中，0.01≤x≤0.21；或

所述MnCoGe合金的化学式为MnCo_1-xGe_1+x，其中，0.01≤x≤0.21；或

所述MnCoGe合金的化学式为MnCo_1+xGe_1-x，其中，0.01≤x≤0.21；或

所述MnCoGe合金的化学式为(Mn_1-yA_y)_1-xCoGe_1+x，其中，0.01≤x≤0.21，0.01≤y≤0.12，且A选自Ti、Zn、Fe、Ni、Cu、Cr、V、Sn、Al、Ga、B、In中任意一种元素；或

所述MnCoGe合金的化学式为(Mn_1-yD_y)_1+xCoGe_1-x，其中，0.01≤x≤0.21，0.01≤y≤0.12，且D选自Ti、Zn、Fe、Ni、Cu、Cr、V、Sn、Al、Ga、B、In中任意一种元素；或

所述MnCoGe合金的化学式为Mn(Co_1-yE_y)_1-xGe_1+x，其中，0.01≤x≤0.21，0.01≤y≤0.12，且E选自Ti、Zn、Fe、Ni、Cu、Cr、V、Sn、Al、Ga、B、In中任意一种元素；或

所述MnCoGe合金的化学式为Mn(Co_1-yF_y)_1+xGe_1-x，其中，0.01≤x≤0.21，0.01≤y≤0.12，且F选自Ti、Zn、Fe、Ni、Cu、Cr、V、Sn、Al、Ga、B、In中任意一种元素。

2.根据权利要求1所述的在MnCoGe基合金中实现磁结构耦合相变的方法，其特征在于，所述MnCoGe合金的制备过程具体为：

S1：按照化学式的化学计量比进行配料，将配好的原料放入水冷式铜坩埚电弧炉中，真空度抽至10^-3Pa以下，充入0.8～1个大气压的纯度为99.999％的氩气，进行电弧熔炼，重复熔炼3～5次，得到MnCoGe基合金铸锭；

S2：将部分MnCoGe基合金铸锭装入内径10～11mm的石英管中，然后将石英管放入快淬炉腔中，炉腔内抽真空至10^-4Pa，通入氩气，通过高频感应加热将铸锭熔化成液态，然后通过石英管底部的小孔喷到高速旋转的铜辊上，铜辊的转速为10～40m/s，得到快淬条带样品；

S3：将剩余部分的合金铸锭和所述快淬条带样品放入一端封闭的内径10mm石英管中，真空度抽至4Pa以下，充入0.3～0.5个大气压的氩气用来洗气，重复3～5次，最后一次洗气后将真空度抽至3Pa以下，然后用乙炔焰迅速将拉长的石英管烧断，将样品封入抽真空后的石英管中；然后将封好的样品放入高温炉中进行退火热处理，退火温度为600℃～1000℃，时间0h～120h，然后取出迅速放入冷水中淬火，获得能够发生磁结构耦合相变的MnCoGe基合金。

3.根据权利要求1所述的在MnCoGe基合金中实现磁结构耦合相变的方法，其特征在于，Mn、Co、Ge以及A、D、E和F所代表金属的单质纯度均超过99.99％。