[发明专利]手性识别L-色氨酸的SPR传感器芯片、制备方法及应用

权利要求书

1.一种用于手性识别L-色氨酸的SPR传感器芯片的制备方法，其特征在于，所述SPR传感器芯片包括SPR芯片和分子印迹薄膜，所述方法包括如下步骤：

（1）修饰SPR芯片：在SPR芯片表面形成单分子自组装膜；

（2）将步骤(1) 经修饰的SPR 芯片浸入含有氧化石墨烯、L-色氨酸、多巴胺和过硫酸铵的预聚合液中，除氧后50~70℃条件下引发聚合，在SPR 芯片表面形成一层原位聚合的分子印迹薄膜，得到能够手性识别L-色氨酸的SPR传感器芯片。

2.根据权利要求1所述手性识别L-色氨酸的SPR传感器芯片的制备方法，其特征在于步骤(1) 所述SPR芯片为裸金芯片，修饰前需要清洗，清洗方法如下：

将裸金芯片放入Piranha洗液，待Piranha洗液降低到60℃以下放入裸金芯片浸泡5~10min；然后用去离子水和无水乙醇冲洗芯片，最后用氮气吹干，所述Piranha洗液是由浓H₂SO₄与浓度为30%的H₂O₂溶液混合配制而成，浓H₂SO₄与H₂O₂溶液体积比为7:（3~5）。

3.根据权利要求1所述手性识别L-色氨酸的SPR传感器芯片的制备方法，其特征在于步骤(1) 所述SPR芯片修饰的具体方法如下：将裸金芯片置于10~20mM的β-巯基乙胺-乙醇溶液中，浸泡20~30 h；取出芯片后，用去离子水和乙醇冲洗芯片表面，用氮气吹干。

4.根据权利要求1所述手性识别L-色氨酸的SPR传感器芯片的制备方法，其特征在于步骤（2）的具体方法如下：氧化石墨烯放入10~20 mM的三羟甲基氨基甲烷缓冲溶液中，冰水水浴超声30~40 min直至氧化石墨烯完全溶解，然后加入多巴胺和L-色氨酸、过硫酸铵，振荡并超声溶解5~10 min，通氮气除氧8~15 min，得到预聚合液；将经过修饰的SPR裸金芯片浸于预聚合液中，继续通氮5~10 min，密封反应容器，置于真空干燥箱50~70℃下聚合6~18 h，即可在芯片表面获得分子印迹薄膜；用甲醇-盐酸混合溶液洗脱3~4次，得到能够手性识别L-色氨酸的SPR传感器芯片。

5.根据权利要求4所述手性识别L-色氨酸的SPR传感器芯片的制备方法，其特征在于步骤（2）中氧化石墨烯与L-色氨酸的质量比为0.2~1.8，多巴胺与L-色氨酸的摩尔比为0.16~1.5，过硫酸铵与多巴胺的质量比为0.5~2.5。