[发明专利]磁阻元件和磁存储器

权利要求书

1.一种磁阻元件，具备：

第1磁性层，其具有可变的磁化方向；

第2磁性层，其具有不变的磁化方向；

第1非磁性层，其设置于所述第1磁性层与所述第2磁性层之间；

第3磁性层，其将所述第2磁性层的磁化方向固定，并与所述第2磁性层进行反铁磁性耦合；以及

第2非磁性层，其设置于所述第2磁性层与所述第3磁性层之间，

所述第2非磁性层含有钌即Ru和金属元素，

所述金属元素选自锇即Os、铑即Rh、钯即Pd、铱即Ir、铂即Pt、铬即Cr、钨即W、钽即Ta、铌即Nb以及钼即Mo之中。

2.根据权利要求1所述的磁阻元件，

所述第2磁性层和所述第3磁性层的磁化方向与膜面垂直。

3.根据权利要求1所述的磁阻元件，

经由所述第2非磁性层的所述第2磁性层与所述第3磁性层之间的交换耦合磁场具有随着所述第2非磁性层的膜厚变厚而变小的波形形状的第1特性，

所述第1特性具有交换耦合磁场为最大的第1峰值，

所述第2非磁性层被设定为所述第1峰值时的膜厚。

4.根据权利要求1所述的磁阻元件，

在SAF构造即合成反铁磁性构造的非磁性层使用了钌即Ru的情况下的交换耦合磁场具有随着非磁性层的膜厚变厚而变小的波形形状的第2特性，

所述第2特性具有交换耦合磁场最大的第1峰值和交换耦合磁场较大且次于所述第1峰值的第2峰值，

所述第2非磁性层的膜厚比所述第1峰值时的膜厚大、并且比所述第2峰值时的膜厚小。

5.根据权利要求1所述的磁阻元件，

所述第2磁性层含有铁即Fe和硼即B。

6.根据权利要求1所述的磁阻元件，

所述第3磁性层含有铁即Fe和硼即B。

7.根据权利要求1所述的磁阻元件，

所述第1非磁性层含有氧化镁即MgO。

8.根据权利要求1所述的磁阻元件，

所述第1磁性层含有铁即Fe和硼即B。

9.根据权利要求1所述的磁阻元件，

所述第2磁性层、所述第2非磁性层以及所述第3磁性层具有SAF构造即合成反铁磁性构造。

10.一种磁存储器，

具备权利要求1～9中的任一项所述的磁阻元件。

11.根据权利要求10所述的磁存储器，

还具备与所述磁阻元件的一端连接的选择晶体管。

12.根据权利要求11所述的磁存储器，

还具备与所述磁阻元件的另一端连接的位线和与所述选择晶体管的一端连接的源线。