[发明专利]存储系统及其操作方法

说明书

一种存储系统包括：存储器件；高速缓冲存储器，其适用于高速缓存储存在存储器件中的数据的一部分；以及读取电压控制器，其适用于通过将高速缓冲存储器中的高速缓存数据与来自存储器件的与高速缓存数据相对应的数据相比较来控制存储器件的读取电压的电平。

相关申请的交叉引用

本专利申请要求2017年2月20日提交的申请号为10-2017-0022235的韩国专利申请的优先权，其通过引用整体合并于此。

技术领域

本公开的示例性实施例涉及一种存储系统。

背景技术

近来，研究者和产业界开发了用于取代动态随机存取存储器(DRAM)和闪存的新一代存储器件。在新一代存储器件之中存在使用可变电阻材料的电阻式存储器件，因为可变电阻材料的电阻水平根据向其施加的偏置而快速改变，所以可变电阻材料是能够在两个不同电阻状态之间切换的材料。电阻式存储器件的代表性示例可以包括相变随机存取存储器(PCRAM)、电阻式随机存取存储器(RRAM)、磁性随机存取存储器(MRAM)、铁电式随机存取存储器(FRAM)等。

电阻式存储器件已经被开发作为非易失性存储器件，但是储存在其中的数据可能因漂移现象的出现而丢失，在漂移现象中，从数据被写入到电阻式存储器件的存储单元中开始，电阻值随着时间的流逝而改变。

发明内容

本公开的实施例针对将用于存储器件的读取操作的读取电压控制成最优值的技术。

根据本发明的一个实施例，一种存储系统包括：存储器件；高速缓冲存储器，其适用于高速缓存储存在存储器件中的数据的一部分；以及读取电压控制器，其适用于通过将高速缓冲存储器中的高速缓存数据与来自存储器件的与高速缓存数据相对应的数据相比较来控制存储器件的读取电压的电平。

读取电压控制器可以基于高速缓存数据与所述数据之间的不同比特位的数量来控制读取电压的电平。

读取电压控制器可以按照减小不同比特位的数量的方式来控制读取电压的电平。

存储器件可以包括多个区域，以及高速缓冲存储器高速缓存所述多个区域的每个区域的数据的一部分，以及读取电压控制器控制用于所述多个区域的每个区域的读取电压的电平。

高速缓冲存储器和读取电压控制器可以包括在存储器控制器中。

存储器控制器可以包括：主机接口，其适用于与主机通信；调度器，其适用于确定从主机传送的请求的处理次序；命令发生器，其适用于产生要施加给存储器件的命令；以及存储器接口，其适用于与存储器件通信。

根据本发明的另一实施例，一种用于操作存储系统的方法包括：从高速缓冲存储器读取高速缓存数据；从存储器件读取与高速缓存数据相对应的数据；将高速缓存数据与所述数据相比较；以及基于比较结果来确定存储器件的读取电压的电平。

基于比较结果来确定存储器件的读取电压的电平的步骤可以包括：确定高速缓存数据与所述数据之间的不同比特位的数量是否等于或大于阈值；以及当确定高速缓存数据与所述数据之间的不同比特位的数量等于或大于阈值时，控制读取电压的电平。

在控制读取电压的电平的步骤中，可以通过增大或减小读取电压的电平，使得不同比特位的数量变得小于阈值。

控制读取电压的电平的步骤可以包括：增大读取电压的电平；通过使用电平被增大的读取电压来从存储器件重新读取数据；重新检查不同比特位的数量是否小于阈值；以及当不同比特位的数量等于或大于阈值时，重复执行以下步骤：增大读取电压的电平、重新读取数据以及重新检查不同比特位的数量是否小于阈值。