[发明专利]晶体管元件及半导体布局结构

权利要求书

1.一种晶体管元件，包括：

一基板，包括至少一主动区；

一隔离结构，环绕该主动区；

一栅极结构，位于该基板上方，该栅极结构包括：

一第一部分，沿着一第一方向延伸并且重叠该主动区与该隔离结构之间的一第一边界；以及

一第二部分，沿着一第二方向延伸，该第二方向垂直于该第一方向；以及

一源极/漏极区，位于该栅极结构的相对立的两侧上，

其中该第一部分沿着该第一方向具有一第一宽度，该第二部分沿着该第一方向具有一第二宽度，该第一宽度与该第二宽度的比例大于1.6；以及

其中该第一部分包含一内部及一外部，该内部沿着该第二方向具有一第三宽度，该外部沿着该第二方向具有一第四宽度，该第四宽度与该第三宽度的比例为0.75至1.5。

2.如权利要求1所述的晶体管元件，其中该栅极结构的该第二部分越过该主动区并且重叠该主动区与该隔离结构之间的一第二边界，以及该第二边界沿着该第一方向延伸且位在该主动区与该第一边界相对立的一侧上。

3.如权利要求2所述的晶体管元件，其中该第一部分重叠该隔离结构的一部分与该主动区的一部分，以及该栅极结构的该第二部分重叠该隔离结构的一部分与该主动区的一部分。

4.如权利要求3所述的晶体管元件，还包括该栅极结构下方的一通道区，以及其中该通道区包括一L形，该通道区的一通道长度平行于该第一方向，以及该通道区的一通道宽度平行于该第二方向。

5.如权利要求1所述的晶体管元件，其中该栅极结构还包括沿着该第一方向延伸的一第三部分，该第三部分重叠该主动区与该隔离结构之间的一第二边界，以及该第二边界沿着该第一方向延伸并且位在该主动区与该第一边界相对立的一侧上。

6.如权利要求5所述的晶体管元件，其中该第一部分与该第三部分位于该第二部分相对立的两个端部上，并且皆与该第二部分物理性接触。

7.如权利要求5所述的晶体管元件，其中该第一部分重叠该隔离结构的一部分与该主动区的一部分，整个该第二部分重叠该主动区，以及该第三部分重叠该隔离结构的一部分与该主动区的一部分。

8.如权利要求5所述的晶体管元件，还包括该栅极结构下方的一通道区，以及其中该通道区包括一C形，该通道区的一通道长度平行于该第一方向，以及该通道区的一通道宽度平行于该第二方向。

9.一种半导体布局结构，包括：

一主动区，由一隔离结构环绕；

至少一第一栅极结构，位于该主动区与该隔离结构上方，该第一栅极结构包括彼此垂直的一第一部分与一第三部分；

至少一第二栅极结构，位于该主动区与该隔离结构上方，该第二栅极结构包括平行于该第一部分的一第二部分与平行于该第三部分的一第四部分；以及

多个源极/漏极区，位于该主动区中，

其中该第一栅极结构的该第一部分重叠该隔离结构与该主动区之间的一第一边界，该第二栅极结构的该第二部分重叠该隔离结构与该主动区之间的一第二边界，以及该第一边界与该第二边界彼此平行，

其中该第一部分及该第二部分沿着一第一方向具有一第一宽度，该第三部分及该第四部分沿着该第一方向具有一第二宽度，该第一宽度与该第二宽度的比例大于1.6；以及

其中该第一部分及该第二部分分别包含一内部及一外部，该内部沿着一第二方向具有一第三宽度，该外部沿着该第二方向具有一第四宽度，该第四宽度与该第三宽度的比例为0.75至1.5，其中该第二方向垂直于该第一方向。

10.权利要求9所述的半导体布局结构，其中该第一栅极结构与该第二栅极结构相对于一中心点而为点对称。

11.如权利要求9所述的半导体布局结构，其中该第一栅极结构的该第三部分重叠该第二边界，以及该第二栅极结构的该第四部分重叠该第一边界。