[发明专利]一种横向结构的半导体异质结变容管装置

权利要求书

1.一种横向结构的半导体异质结变容管装置，其特征是：从下至上依次包括衬底、缓冲层半导体、异质结半导体结构、帽层半导体、介质层、金属阳极和金属阴极；所述异质结半导体结构至少有一个，每个异质结半导体结构均由下层的沟道层和上层的势垒层组成，沟道层上存在有二维电子气；所述异质结半导体结构上表面开设有凹槽且凹槽的底部位于二维电子气的下方，金属阳极和金属阴极分别位于不同的凹槽内，金属阳极和金属阴极均与凹槽侧壁形成肖特基接触。

2.根据权利要求1所述的一种横向结构的半导体异质结变容管装置，其特征是：金属阳极和金属阴极均与异质结半导体结构的侧面直接接触。

3.根据权利要求1所述的一种横向结构的半导体异质结变容管装置，其特征是：衬底的材料包括InP、GaAs、Si、GaN、AlN、蓝宝石和SiC中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的一种横向结构的半导体异质结变容管装置，其特征是：缓冲层的材料包括高阻InGaAs、高阻GaAs、高阻InAlAs、高阻GaN、高阻AlGaN、高阻AlN和高阻InGaN中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的一种横向结构的半导体异质结变容管装置，其特征是：沟道层的材料包括InAs、InGaAs、GaAs、InAlAs、GaN、AlGaN、InN和InGaN中的至少一种，其中，所述InAs、InGaAs、GaAs、InAlAs、GaN、AlGaN、InN和InGaN均为非掺杂的材料。

6.根据权利要求1所述的一种横向结构的半导体异质结变容管装置，其特征是：势垒层的材料包括InGaAs、GaAs、InAlAs、AlAs、GaN、InGaN、AlGaN、AlN中的至少一种。

7.根据权利要求1所述的一种横向结构的半导体异质结变容管装置，其特征是：帽层半导体的材料包括InAs、InGaAs、GaAs、InAlAs、GaN、AlGaN、InN、InGaN和AlN中的至少一种，其中，所述InAs、InGaAs、GaAs、InAlAs、GaN、AlGaN、InN、InGaN和AlN均为掺杂的材料。

8.根据权利要求1所述的一种横向结构的半导体异质结变容管装置，其特征是：介质层包括SiO₂层、SiN层、Al₂O₃层、AlN层、HfO₂层、ZrO₂层和Y₂O₃层中至少一层。