[发明专利]获取电热安全工作区的方法、装置及计算机可读存储介质有效
申请号: | 201810142576.X | 申请日: | 2018-02-11 |
公开(公告)号: | CN108336083B | 公开(公告)日: | 2020-09-04 |
发明(设计)人: | 鞠家欣 | 申请(专利权)人: | 北方工业大学 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;G06F30/20 |
代理公司: | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 | 代理人: | 王刚;龚敏 |
地址: | 100144 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 获取 电热 安全 工作 方法 装置 计算机 可读 存储 介质 | ||
本发明提供一种获取电热安全工作区的方法、装置及计算机可读存储介质,应用于栅极接地N沟道场效应晶体管结构的静电放电保护器件。本发明获取电热安全工作区的方法包括:根据静电放电保护器件的结构,构造等效热路模型,获取最大安全耗散功率;根据最大安全耗散功率、最大安全电流、最大安全电压与最大安全二次击穿功率,获取电热安全工作区。本发明通过采用上述技术方案,能够解决现有技术中电热安全工作区的耗散功率由经验值粗略确定,基于此得到的电热安全工作区与静电放电保护器件的实际工作情况存在很大偏差,进而不能够有效地保护静电放电保护器件的问题。
【技术领域】
本发明涉及电子技术领域,尤其涉及一种获取电热安全工作区的方法、装置及计算机可读存储介质。
【背景技术】
传统的静电放电(Electro Static Discharge,ESD)保护器件在瞬态高电压、大电流冲击下,其电流-电压(I-U)特性曲线往往表现出一个共同的特征:如图1所示,在电压达到一定限度时,曲线表现出明显的负阻回滞(Snapback)现象,具体表现为:电流急剧增大,而电压持续减小回滞,发生二次击穿或热击穿,造成ESD保护器件电热失效而无法正常工作。电热安全工作区(Safe Operation Area,SOA)作为衡量ESD保护器件电热效应微观物理作用机制的一个直观表象,因此,通常使用电热安全工作区来说明ESD保护器件的安全工作范围。
然而,现有技术中电热安全工作区的耗散功率由经验值粗略确定,基于此得到的电热安全工作区与ESD保护器件的实际工作情况存在很大偏差,进而不能够有效地保护ESD保护器件。
【发明内容】
有鉴于此,本发明实施例提供了一种获取电热安全工作区的方法、装置及计算机可读存储介质,用以解决现有技术中电热安全工作区的耗散功率由经验值粗略确定,基于此得到的电热安全工作区与ESD保护器件的实际工作情况存在很大偏差,进而不能够有效地保护ESD保护器件的问题。
一方面,本发明实施例提供了一种获取电热安全工作区的方法,应用于栅极接地N沟道场效应晶体管结构的静电放电保护器件,该方法包括:
根据静电放电保护器件的结构,构造所述静电放电保护器件的等效热路模型;
根据所述等效热路模型,获取所述静电放电保护器件的最大安全耗散功率;
根据所述最大安全耗散功率、最大安全电流、最大安全电压与最大安全二次击穿功率,获取所述静电放电保护器件的电热安全工作区。
如上所述的方面和任一可能的实现方式,进一步提供一种实现方式,根据所述等效热路模型,获取所述静电放电保护器件的最大安全耗散功率,包括:
根据所述等效热路模型,获取耗散功率与所述静电放电保护器件的热扩散时间、热扩散温度之间的对应关系;
根据所述对应关系,获取耗散功率的最大值,以作为所述最大安全耗散功率。
如上所述的方面和任一可能的实现方式,进一步提供一种实现方式,当所述静电放电保护器件热扩散时间小于第一时间阈值时,所述对应关系可以表示为:
其中,Pf为耗散功率,a为等效平行六面体的宽度,b为等效平行六面体的长度,Cp为所述静电放电保护器件的热容,Tc为所述热扩散温度,T0为环境温度,tf为失效时间。
如上所述的方面和任一可能的实现方式,进一步提供一种实现方式,当所述静电放电保护器件热扩散时间大于或者等于第一时间阈值且小于第二时间阈值时,所述对应关系可以表示为:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北方工业大学,未经北方工业大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810142576.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:SCR静电保护器件及静电保护电路
- 下一篇:高压隔离层及其制备方法和应用
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的