[发明专利]一种相移掩膜板的制作方法及相移掩膜板有效
申请号: | 201810143213.8 | 申请日: | 2018-02-11 |
公开(公告)号: | CN108345171B | 公开(公告)日: | 2020-01-21 |
发明(设计)人: | 刘明悬;郭会斌;宋勇志;张小祥;徐文清;吴祖谋;李小龙 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | G03F1/26 | 分类号: | G03F1/26 |
代理公司: | 11291 北京同达信恒知识产权代理有限公司 | 代理人: | 郭润湘 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图案 光刻胶层 遮挡层 相移掩膜 金属 相位转换 掩模图形 衬底基板 描画 对位偏差 相位转移 正投影 自对准 刻蚀 移位 制作 对准 曝光 保证 | ||
本发明公开了一种相移掩膜板的制作方法及相移掩膜板,在衬底基板上形成金属遮挡层图案、相位转换层和第一光刻胶层;接着以金属遮挡层图案作为掩模图形,对第一光刻胶层进行构图,形成第一光刻胶层图案,其中,第一光刻胶层图案在衬底基板上的正投影完全覆盖且大于金属遮挡层图案;最后以第一光刻胶层图案作为掩模图形,对相位转换层进行刻蚀,形成相位转换层图案。采用以金属遮挡层图案作为掩模图形,代替现有的采用描画机对第一光刻胶层进行构图,已达到制作出的第一光刻胶层图案与金属遮挡层图案自对准的效果,避免了采用描画机进行曝光时出现的对位偏差,从而保证后续制作出的相位转移层图案与金属遮挡层图案可以严格对准,不存在移位偏差。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种相移掩膜板的制作方法及相移掩膜板。
背景技术
随着显示技术的发展,显示产品的设计规格在逐步提升,如要求显示屏幕具有超高分辨率、超窄边框等特点,这就需要越来越复杂和精细的制造工艺。目前部分液晶显示器(LCD,Liquid Crystal Display)和有机电致发光显示面板(OLED,Organic Light-Emitting Diode)的生产线,由于建线时间较早,设备比较落后,已无法满足产品的生产需求。比如曝光机制作生产出的产品线宽已无法满足需求,为应对这一问题,面板厂商的一个普遍做法是导入相移掩膜板(PSM,Phase Shift Mask)。
PSM与传统的掩膜板相比,在金属遮挡层图案上增加了一层相位转换层图案,利用相位转换层图案将透过的光线相位转换180°,使其与相邻的光线抵消,以提升曝光的分辨率。目前的PSM制作过程中需要两次对位曝光,会存在对位偏差,容易造成相位转换层图案与金属遮挡层图案对位不准的情况,会影响PSM的使用效果。
因此,如何消除PSM制作时相位转换层图案与金属遮挡层图案之间的对位偏差,是本领域亟需解决的技术问题。
发明内容
本发明实施例提供了一种相移掩膜板的制作方法及相移掩膜板,用以解决PSM制作时相位转换层图案与金属遮挡层图案之间存在对位偏差的问题。
本发明实施例提供的一种相移掩膜板的制作方法,包括:
在衬底基板上形成金属遮挡层图案;
在所述金属遮挡层图案之上依次形成相位转换层和第一光刻胶层;
以所述金属遮挡层图案作为掩模图形,对所述第一光刻胶层进行构图,形成第一光刻胶层图案;其中,所述第一光刻胶层图案在所述衬底基板上的正投影完全覆盖且大于所述金属遮挡层图案;
以所述第一光刻胶层图案作为掩模图形,对所述相位转换层进行刻蚀,形成相位转换层图案;其中,所述相位转换层图案与所述第一光刻胶层图案一致。
在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述相移掩膜板的制作方法中,所述以所述金属遮挡层图案作为掩模图形,对所述第一光刻胶层进行构图,形成第一光刻胶层图案,具体包括:
从所述衬底基板一侧采用曝光机,利用所述金属遮挡层图案的遮挡,使光照通过具有透光特性的相位转换层,对所述第一光刻胶层进行曝光,形成第一光刻胶层图案。
在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述相移掩膜板的制作方法中,所述对所述第一光刻胶层进行曝光,具体包括:
对所述第一光刻胶层进行欠曝光。
在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述相移掩膜板的制作方法中,所述在衬底基板上形成金属遮挡层图案,具体包括:
在所述衬底基板上依次形成金属遮挡层和第二光刻胶层;
对所述第二光刻胶层进行构图,形成第二光刻胶层图案;
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