[发明专利]修复器件以及包括修复器件的半导体器件

说明书

公开了一种修复器件和包括该修复器件的半导体器件，其涉及用于封装后修复(PPR)器件的技术。修复器件包括：时钟发生器，其被配置为产生与可用熔丝相对应的熔丝时钟信号；熔丝选择电路，其被配置为区分熔丝时钟信号中的第一时钟信号和第二时钟信号；熔丝信号发生器，其被配置为在封装后修复(PPR)模式期间输出与第一时钟信号相对应的第一修复信号和与第二时钟信号相对应的第二修复信号；以及输出电路，其被配置为响应于第一修复信号而通过检测剩余的未使用熔丝的地址信息来输出第一输出信号，或者被配置为通过检测剩余的未使用熔丝的地址信息来输出第二输出信号。

相关申请的交叉引用

本申请要求2017年8月11日提交的申请号为10-2017-0102266的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本公开的实施例总体而言可以涉及一种修复器件以及包括该修复器件的半导体器件，并且更具体地，涉及一种用于封装后修复(PPR)器件的技术。

背景技术

当在多个存储单元的至少一个存储单元中发生缺陷或错误时，具有缺陷存储单元的半导体存储器件作为缺陷产品被丢弃。随着越来越多的半导体存储器件以更高的速度发展到更高的集成度，半导体器件具有缺陷存储单元的可能性更大。考虑到成本和生产率，由于半导体存储器件中的少量缺陷存储单元而丢弃整个半导体存储器件导致半导体存储器件的产量降低是低效的。

因此，为了提高半导体存储器件的产量，许多开发商和公司正在对高效地修复半导体存储器件的缺陷单元的方法进行深入的研究。

通常，半导体存储器件包括冗余存储单元。当在完成这种封装之后出现缺陷存储单元或者故障存储单元时，用冗余存储单元替换缺陷存储单元，从而修复半导体存储器件。在封装状态下的测试完成之后用冗余存储单元替换缺陷存储单元的方法被称为封装后修复(PPR)。

PPR技术能够利用电熔丝(例如，阵列电熔丝：ARE)来修复在晶片状态中未被发现并且在封装完成之后产生的缺陷存储单元，使得能够通过PPR过程而增加封装生产率。

发明内容

本公开的各种实施例旨在提供一种修复器件以及包括该修复器件的半导体器件，其基本上消除了由于现有技术的限制和缺点而导致的一个或更多个问题。

本公开的实施例涉及这样一种技术，其在PPR过程期间分开使用熔丝区并输出关于可用熔丝的信息，使得可用熔丝在PPR过程期间可以正常操作。

根据本公开的一个实施例，一种修复器件包括：时钟发生器，其被配置为基于指示熔丝是否被使用的熔丝信号来产生与可用熔丝相对应的熔丝时钟信号；熔丝选择电路，其被配置为响应于第一信号和第二信号来区分熔丝时钟信号中的第一时钟信号和第二时钟信号；熔丝修复信号发生器，其被配置为在封装后修复(PPR)模式期间输出与第一时钟信号相对应的第一修复信号和与第二时钟信号相对应的第二修复信号；以及输出电路，其被配置为响应于第一修复信号而通过检测剩余的未使用熔丝的地址信息来输出第一输出信号，或者被配置为响应于第二修复信号而通过检测剩余的未使用熔丝的地址信息来输出第二输出信号。

根据本公开的另一个实施例，一种半导体存储器件包括：存储单元阵列，其包括第一存储单元区和第二存储单元区；以及包括熔丝阵列的修复器件，该熔丝阵列包括分别与第一存储单元区和第二存储单元区相对应的第一熔丝组和第二熔丝组，并且修复器件被配置为在封装后修复(PPR)模式下通过使用熔丝阵列来控制存储单元阵列，以对第一存储单元区和第二存储单元区交替地执行修复操作。