[发明专利]基板处理装置

说明书

本发明提供一种基板处理装置，降低与基板接触的气体中的氧气浓度，以便在氧气浓度低的气体中处理基板。基板处理装置具有使基板旋转的旋转卡盘、配置在基板的上方的遮断构件、包围旋转基座的杯、使非活性气体从遮断构件的向下喷出口喷出的上气体阀、排出杯内的气体的排气管道。遮断构件具有配置在基板的上方的相向面和包围基板的内周面。遮断构件的内周面的下端配置在旋转基座的周围。从遮断构件的内周面的下端到旋转基座的外周面的径向的距离，在从基板的上表面到遮断构件的相向面的铅垂方向的距离以上。

本申请是申请日为2015年2月10日、申请号为201510069668.6、发明名称为“基板处理装置”的申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及对基板进行处理的基板处理装置。作为成为处理对象的基板，例如包括半导体晶片、液晶表示装置用基板、等离子显示器用基板、FED(Field EmissionDisplay：场发射显示器)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板、陶瓷基板、太阳电池用基板等。

背景技术

在半导体装置和液晶表示装置等的制造工序中，使用对半导体晶片或液晶表示装置用玻璃基板等基板进行处理的基板处理装置。

在日本特开2010-56218号公报中公开了对基板一张一张进行处理的单张式的基板处理装置。在该基板处理装置中，为了防止因处理液中含有的氧气而使基板氧化，将含有非活性气体溶解水的液体作为处理液向基板，该非活性气体溶解水是进行氧气的去除和氮气的添加而成的。进而，在该基板处理装置中，为了抑制与基板的上表面接触的气体中的氧气浓度的上升，而利用具有基板相向面以及周壁部的遮断构件覆盖在旋转基座的上方配置的基板。

在半导体装置或液晶表示装置等的制造工序中，有时希望在气体中的氧气浓度极低的状态对基板进行处理。

如上述公报记载那样，即使处理液中的氧气浓度低，当气体中的氧气浓度高时，气体中的氧气会溶入处理液，因此有时将氧气浓度上升的处理液供给至基板。另外，当在气体中的氧气浓度高的状态下使基板干燥时，有时由气体中的氧气引起的水印会产生在基板上。因此，在液体处理工序以及干燥工序中都需要降低气体中的氧气浓度。

发明内容

本发明的目的之一在于，降低与基板接触的气体中的氧气浓度，以便在氧气浓度低的气体中处理基板。

本发明的一实施方式提供一种基板处理装置，具有旋转卡盘、遮断构件、上非活性气体供给单元、杯和排气单元，

所述旋转卡盘具有：

圆板状的旋转基座，具有配置在基板的下方的圆形的上表面和外径大于基板的外径的外周面，

多个卡盘销，以基板的下表面和所述旋转基座的所述上表面在上下方向上隔开间隔相向的方式将基板保持为水平，

旋转马达，使所述旋转基座以及多个卡盘销围绕通过由所述多个卡盘销保持的基板的中央部的铅垂的旋转轴线旋转；

所述遮断构件具有配置在由所述旋转卡盘保持的基板的上方的相向面和围绕所述旋转轴线包围由所述旋转卡盘保持的基板的内周面，所述内周面的下端配置在所述旋转基座的周围，从所述内周面的下端到所述旋转基座的所述外周面的径向的距离在从由所述旋转卡盘保持的基板的上表面到所述相向面的铅垂方向的距离以上；

所述上非活性气体供给单元从在所述遮断构件的所述相向面开口的向下喷出口向下方喷出非活性气体；

所述杯围绕所述旋转轴线包围所述旋转基座并向上开放；

所述排气单元将所述杯内的气体向所述杯的外部排出。

在基板的上表面和遮断构件的相向面不平行的情况下，从由旋转卡盘保持的基板的上表面到遮断构件的相向面的铅垂方向的距离是指最短距离。