[发明专利]一种太赫兹波电控调制器有效

专利信息
申请号: 201810145037.1 申请日: 2018-02-12
公开(公告)号: CN108287418B 公开(公告)日: 2019-10-25
发明(设计)人: 陆亚林;蔡宏磊;黄秋萍;邹崇文 申请(专利权)人: 中国科学技术大学
主分类号: G02F1/01 分类号: G02F1/01
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 赵青朵
地址: 230026 安*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 金属框 导电金属条 二氧化钒 太赫兹波 金属微结构阵列 导热金属条 衬底层 调制器 电控 长度方向设置 电导率 金属微结构 封闭图案 共振频率 外加电流 调控 透射 多排 绝缘 两段 金属
【权利要求书】:

1.一种太赫兹波电控调制器,其特征在于,包括:

衬底层和多排金属微结构阵列;

所述金属微结构阵列包括设置于衬底层表面的导电金属条和多个金属框,所述金属框沿着所述导电金属条长度方向设置,所述导电金属条与所述金属框形成封闭图案;

所述金属框至少由两段导热金属条组成,所述导热金属条通过二氧化钒微粒块连接。

2.根据权利要求1所述的太赫兹波电控调制器,其特征在于,所述金属框由三段导热金属条组成,所述三段导热金属条为2条条形金属条与1条U型金属条。

3.根据权利要求1或2所述的太赫兹波电控调制器,其特征在于,所述封闭图案为矩形或正方形。

4.根据权利要求1所述的太赫兹波电控调制器,其特征在于,所述金属框由三段导热金属条组成,所述三段导热金属条为2条长短不同的相对设置的条形金属条与1条U形金属条。

5.根据权利要求1、2或4所述的太赫兹波电控调制器,其特征在于,所述衬底层的厚度为100μm~1mm,所述金属微结构阵列的厚度大于等于100nm,所述二氧化钒微粒块的厚度大于等于90nm。

6.根据权利要求1、2或4所述的太赫兹波电控调制器,其特征在于,所述二氧化钒微粒块为单晶二氧化钒块或多晶二氧化钒。

7.根据权利要求1、2或4所述的太赫兹波电控调制器,其特征在于,所述金属微结构阵列的金属材料为金、银或铝。

8.根据权利要求1、2或4所述的太赫兹波电控调制器,其特征在于,所述衬底层在100Ghz~10THz频率范围内为透明物质,所述衬底层的材料为硅或氧化铝。

9.根据权利要求1、2或4所述的太赫兹波电控调制器,其特征在于,所述金属微结构阵列均匀设置,所述金属框均匀设置。

10.根据权利要求1、2或4所述的太赫兹波电控调制器,其特征在于,还包括对所述金属微结构阵列施加电流的电极、引线、导电线圈与恒流电流源。

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