[发明专利]动态随机存取存储器的位线栅极结构及其形成方法

权利要求书

1.一种形成动态随机存取存储器的位线栅极结构的方法，其特征在于，包含有：

形成一多晶硅层于一基底上；

形成一牺牲层于该多晶硅层上；

进行一掺杂制作工艺于该牺牲层及该多晶硅层上；

移除该牺牲层；以及

形成一金属堆叠结构于该多晶硅层上，

其中该牺牲层包含氧化层或氮化层；且

其中该掺杂制作工艺对于该多晶硅层及该牺牲层的最大掺杂浓度位于该牺牲层及该多晶硅层的一界面。

2.如权利要求1所述的形成动态随机存取存储器的位线栅极结构的方法，其中该掺杂制作工艺对于该多晶硅层及该牺牲层的最大掺杂浓度位于该牺牲层中。

3.如权利要求1所述的形成动态随机存取存储器的位线栅极结构的方法，其中该掺杂制作工艺的掺杂质包含磷或砷。

4.如权利要求1所述的形成动态随机存取存储器的位线栅极结构的方法，其中移除该牺牲层的方法包含一湿清洗制作工艺。

5.如权利要求1所述的形成动态随机存取存储器的位线栅极结构的方法，其中形成该金属堆叠结构于该多晶硅层上的步骤包含将一钛硅氮化层直接沉积于该多晶硅层上。

6.如权利要求5所述的形成动态随机存取存储器的位线栅极结构的方法，其中将该钛硅氮化层直接沉积于该多晶硅层上的方法包含一原子层沉积制作工艺。

7.一种形成动态随机存取存储器的位线栅极结构的方法，其特征在于，包含有：

形成一多晶硅层于一基底上；

进行一等离子体掺杂后进行一湿清洗制作工艺于该多晶硅层的一表面上，以使该多晶硅层的最大掺杂浓度位于该多晶硅层的该表面上；以及

形成一金属堆叠结构于该多晶硅层的该表面上。

8.如权利要求7所述的形成动态随机存取存储器的位线栅极结构的方法，还包含：

进行该湿清洗制作工艺，清洗该多晶硅层的该表面上的原生氧化物。

9.如权利要求7所述的形成动态随机存取存储器的位线栅极结构的方法，其中形成该金属堆叠结构于该多晶硅层的该表面上的步骤包含将一钛硅氮化层直接沉积于该多晶硅层的该表面上。

10.如权利要求9所述的形成动态随机存取存储器的位线栅极结构的方法，其中将该钛硅氮化层直接沉积于该多晶硅层的该表面上的方法包含一原子层沉积制作工艺。

11.如权利要求9所述的形成动态随机存取存储器的位线栅极结构的方法，其中该金属堆叠结构由下而上包含该钛硅氮化层、钨硅层以及钨层。

12.一种动态随机存取存储器的位线栅极结构，其特征在于，包含有：

多晶硅层，设置于一基底上；以及

金属堆叠结构，设置于该多晶硅层上，其中该多晶硅层的最大掺杂浓度位于该金属堆叠结构及该多晶硅层的一界面。

13.如权利要求12所述的动态随机存取存储器的位线栅极结构，其中该多晶硅层的掺杂浓度自该金属堆叠结构及该多晶硅层的该界面呈梯度减少。

14.如权利要求12所述的动态随机存取存储器的位线栅极结构，其中该金属堆叠结构由下而上包含钛硅氮化层、钨硅层以及钨层。

15.如权利要求12所述的动态随机存取存储器的位线栅极结构，其中该多晶硅层的最大掺杂浓度为1×10¹⁹/立方厘米～1×10²²/立方厘米。

16.如权利要求12所述的动态随机存取存储器的位线栅极结构，其中该多晶硅层的该界面的杂质对硅比例为0.1％～10％。