[发明专利]发光装置及其制造方法

说明书

本发明提供一种发光装置及其制造方法，该发光装置亮度更高。发光装置的制造方法包括：准备工序，其准备从上面侧依次具有包含多层配线的电极结构(17)、与电极结构(17)电连接的半导体层(12)、以及半导体层(12)的生长基板(11)的晶片(10)；接合工序，其将晶片(10)与支承基板(20)接合；露出工序，其从与支承基板(20)接合的晶片(10)上除去生长基板(11)，使半导体层(12)露出；分离工序，其通过在晶片(10)的半导体层(12)侧的表面形成槽(13)而将半导体层(12)分离成多个发光元件部(14)；形成工序，其在多个发光元件部(14)的表面涂布溶剂中含有荧光体粒子的浆料，形成涂布膜，并且使涂布膜中的溶剂挥发，由此而形成覆盖发光元件部(14)的表面的荧光体层(40)。

技术领域

本公开涉及发光装置及其制造方法。

背景技术

以往，在例如搭载于车辆等的前照灯的用途方面，提出了排列多个发光元件的发光装置。该发光装置构成为能够使多个发光元件中的单个发光元件或成组的多个发光元件熄灭。该类发光装置需要进行设计，以减少光从点亮的发光元件向相邻的熄灭的发光元件一侧泄漏。因此，现有的发光装置在荧光体的陶瓷板中设有多个遮光部，作为每个发光元件的区分(例如，参照专利文献1)

然而，在现有的发光装置中，因为遮光部吸收来自发光元件的光，所以，亮度可能降低。此外，在现有的发光装置中，遮光部为了位于相邻的发光元件的边界而必须精度良好地将陶瓷板在各发光元件之上进行位置配合，所以，当发光元件小型化而使之密集时，可能难以进行遮光部的位置配合。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：(日本)特开2011-108589号公报

发明内容

因此，本公开的实施方式的课题是提供亮度更高的发光装置。另外，课题是提供亮度更高的发光装置的制造方法。

本公开的实施方式的发光装置的制造方法包括：准备工序，其准备从上面侧依次具有包含多层配线的电极结构、与该电极结构电连接的半导体层、以及所述半导体层的生长基板的晶片；接合工序，其将所述晶片接合于支承基板；露出工序，其从接合于所述支承基板的所述晶片上除去所述生长基板，使所述半导体层露出；分离工序，其通过在所述晶片的所述半导体层侧的表面形成槽而将所述半导体层分离成多个发光元件；形成工序，其在多个所述发光元件的表面涂布溶剂中含有荧光体粒子的浆料，形成涂布膜，并且使所述涂布膜中的溶剂挥发，由此形成覆盖所述发光元件表面的荧光体层。

本公开的实施方式的发光装置具有：发光元件阵列芯片，其包含支承基板、设置于所述支承基板之上的电极结构、以及排列于所述电极结构之上并与所述电极结构电连接的多个发光元件部；荧光体层，其直接覆盖所述发光元件阵列芯片的表面，并且层厚的最高值是层厚的最低值的2倍以上。

根据本公开的实施方式，能够得到亮度更高的发光装置。另外，能够简单地制造亮度更高的发光装置。

附图说明

图1是示意性地表示第一实施方式的发光装置的结构的俯视图。

图2是示意性地表示发光元件阵列芯片的俯视图。

图3A是放大并示意性地表示从光输出面侧观察的发光元件阵列芯片的一部分的俯视图。

图3B是放大并示意性地表示从电极结构侧观察的发光元件阵列芯片的一部分的俯视图。

图4是示意性地表示图3A的IV-IV线的剖面的剖视图。

图5是放大并示意性地表示图4的A部的剖视图。

图6是示意性地表示在第一实施方式的发光装置的制造方法中准备的晶片的剖视图。