[发明专利]磁记录介质及磁记录再现装置有效
申请号: | 201810145330.8 | 申请日: | 2018-02-12 |
公开(公告)号: | CN108461094B | 公开(公告)日: | 2019-11-05 |
发明(设计)人: | 丹羽和也;张磊;村上雄二;柴田寿人;福岛隆之;山口健洋;神边哲也 | 申请(专利权)人: | 昭和电工株式会社 |
主分类号: | G11B5/65 | 分类号: | G11B5/65;G11B5/73 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 苗堃;金世煜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 磁记录介质 散热层 阻挡层 磁记录再现装置 磁头 激光功率 磁性层 氮化物 碳化物 信噪比 氧化物 衬底 合金 照射 | ||
1.一种热辅助磁记录介质,其在衬底上依次具有第一散热层、第一阻挡层、第二散热层、及以具有L10结构的合金作为主成分的磁性层,
所述第一阻挡层以氧化物、氮化物或碳化物作为主成分,
并且,所述第一阻挡层的主成分具有NaCl型结构,
具有所述NaCl型结构的材料是MgO、TiO、NiO、TiN、TaN、NbN、HfN、ZrN、VN、CrN、TiC、TaC、NbC、HfC或ZrC。
2.根据权利要求1所述的热辅助磁记录介质,其中,所述第一阻挡层的厚度为1nm以上10nm以下。
3.根据权利要求1或2所述的热辅助磁记录介质,其中,所述第一阻挡层的主成分的热导率为80W/m K以下。
4.根据权利要求1或2所述的热辅助磁记录介质,其中,所述第二散热层比所述第一散热层薄。
5.根据权利要求1或2所述的热辅助磁记录介质,其中,所述第一散热层和所述第二散热层以Ag、Au、Al、Cu、Rh、Mo或W作为主成分。
6.根据权利要求1或2所述的热辅助磁记录介质,其中,所述第一散热层和所述第二散热层的主成分的热导率为100W/m K以上。
7.根据权利要求1或2所述的热辅助磁记录介质,其中,
在所述第二散热层与所述磁性层之间还设有第二阻挡层,
所述第二阻挡层以MgO、TiO、NiO、TiN、TaN、HfN、NbN或TiC作为主成分,所述第二阻挡层的所述主成分具有NaCl型结构。
8.一种磁记录再现装置,其包括:
根据权利要求1至7中任一项所述的热辅助磁记录介质;
在记录方向上对所述磁记录介质进行驱动的介质驱动部;
对所述磁记录介质进行记录操作和再现操作的磁头;
使所述磁头相对于所述磁记录介质相对移动的头移动部;以及
向所述磁头输入信号,并且对来自所述磁头的输出信号进行再现的记录再现信号处理系统,
其中,所述磁头具有产生激光的激光产生部、将由所述激光产生部所产生的激光引导至所述磁头的顶端部的波导、以及设在所述磁头的顶端部并且产生用于对所述磁记录介质进行加热的近场光的近场光产生元件。
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