[发明专利]一种石墨烯光电探测器在审
申请号: | 201810145585.4 | 申请日: | 2018-02-12 |
公开(公告)号: | CN108470794A | 公开(公告)日: | 2018-08-31 |
发明(设计)人: | 高超;彭蠡;许震;郭燕 | 申请(专利权)人: | 杭州高烯科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/112 | 分类号: | H01L31/112;H01L31/0328 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人: | 黄欢娣;邱启旺 |
地址: | 311113 浙江省杭州市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光电探测器 石墨烯膜 自支撑 载流子迁移率 光吸收膜 纳米石墨 石墨烯片 探测电路 物理交联 肖特基结 石墨烯 探测器 透明度 | ||
1.一种石墨烯光电探测器,其特征在于,包括硅肖特基结和覆盖于所述硅肖特基结的自支撑石墨烯膜,所述自支撑石墨烯膜通过以下方法得到:
(1)将氧化石墨烯配制成浓度为0.5-10ug/mL氧化石墨烯水溶液,以AAO膜为基底抽滤成膜。
(2)将贴附于AAO的氧化石墨烯膜置于密闭容器中,在80-100℃下从底部往上熏蒸HI蒸汽0.1-1h。
(3)将融化的固体转移剂均匀涂敷在还原氧化石墨烯膜表面,并于室温下自然冷却,直到基底膜自然脱落。
(4)将上述得到的固体转移剂支撑的石墨烯膜在固体转移剂挥发的温度下挥发掉固体转移剂,得到独立自支撑的石墨烯膜。
(5)将上述独立自支撑石墨烯膜放入3000摄氏度高温炉中处理,修复石墨烯膜结构,去除内部缺陷。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述的固体转移剂,选自如下物质,例如石蜡、萘、三氧化二砷、樟脑、硫、降冰片烯、松香等可在某种条件下升华或者挥发的不溶于水的小分子固态物质。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述的固体转移剂的升华温度要控制在320度以下;升华压力以及环境含氧量根据物性而定。
4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤5中的升温过程如下:0-2000摄氏度,5-20摄氏度每分钟;2000-3000摄氏度,2-5摄氏度每分钟。
5.如权利要求1所述的方法,其特征在于,还包括对步骤5处理后的石墨烯膜进行溴掺杂处理,具体为:将石墨烯膜和一定量的液溴置于同一密封的容器中,其中液溴的量m与容器容积v满足:m/v=1g/L,然后将整个容器用液氮冰冻后抽真空直至将空气完全抽除。室温(20-30℃)下自然解冻后放入30-40摄氏度的烘箱中加热12-24小时,得到溴掺杂的自支撑石墨烯膜。
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