[发明专利]磁性薄膜电感器结构

说明书

本发明实施例公开包含一种或多种磁性薄膜(MTF)材料的各种磁性薄膜电感器结构。在运作期间，电场穿过一个或多个导电线圈，此继而产生磁场，进而在这些磁性薄膜电感器结构内存储能量。在这些磁性薄膜电感器结构内的磁性薄膜(MTF)材料有效地吸引此磁场的磁通量线。结果，相较于不具有所述一种或多种磁性薄膜材料的其他电感器结构产生的磁场所导致的磁泄漏，由这些磁性薄膜电感器结构产生的磁场所导致的任何朝向周围电装置、机械装置及/或电机械装置的磁泄漏减少。

技术领域

本发明实施例涉及一种磁性薄膜电感器结构。

背景技术

半导体制作工艺的不断发展已使得制造商及设计者能够创造更小且更强大的电子装置。半导体装置制作已由1971年左右达到的10微米半导体制作工艺发展到2012年左右达到的22纳米半导体制作工艺。预期半导体装置制作将在2019左右进一步发展到5纳米半导体制作工艺。随着半导体制作工艺的每次进展，集成电路的组件已变得更小以使得能够在半导体衬底上制作更多组件。然而，随着半导体制作工艺的每次进展，在创造集成电路方面已发现了新的挑战。

一种此类挑战涉及以更新的半导体工艺技术来制作电感器。对于半导体制作工艺的每次更新的进展而言，电感器的制造商及设计者在半导体衬底上具有更少的可用衬底面积来制作电感器。这些制造商及设计者已开始探索适用于新的半导体工艺技术的其他方法，以构建与以较传统的半导体工艺技术构建的电感器类似的方式运作而不牺牲其集成电路的性能的电感器。

发明内容

本发明实施例的一种磁性薄膜电感器结构包括：磁性薄膜芯体结构，包括磁性薄膜芯体、第一磁性薄膜芯体延伸及第二磁性薄膜芯体延伸，所述第一磁性薄膜芯体延伸及所述第二磁性薄膜芯体延伸位于所述磁性薄膜芯体的周边周围；以及导电线圈，围绕所述磁性薄膜芯体缠绕，以形成所述磁性薄膜电感器结构的一个或多个线圈。

本发明实施例的一种磁性薄膜电感器结构包括：彼此电连接且机械连接的多个磁性薄膜芯体结构，所述多个磁性薄膜芯体结构包括多个磁性薄膜芯体、多个第一磁性薄膜芯体延伸以及多个第二磁性薄膜芯体延伸，所述多个第一磁性薄膜芯体延伸及所述多个第二磁性薄膜芯体延伸位于所述多个磁性薄膜芯体中的对应磁性薄膜芯体的周边周围；以及导电线圈，围绕所述多个磁性薄膜芯体中的至少一个磁性薄膜芯体缠绕，以形成所述磁性薄膜电感器结构的一个或多个线圈。

本发明实施例的一种磁性薄膜电感器结构包括：磁性薄膜芯体结构，包括磁性薄膜芯体、第一磁性薄膜芯体延伸及第二磁性薄膜芯体延伸；以及导电线圈，围绕所述磁性薄膜芯体缠绕，以形成所述磁性薄膜电感器结构的一个或多个线圈，其中所述第一磁性薄膜芯体延伸及所述第二磁性薄膜芯体延伸被配置成吸引磁场的多条磁通量线，所述磁场是通过使电流穿过所述导电线圈而产生。

附图说明

在阅读附图时，本发明实施例的各方面将通过以下具体实施方式被最好地理解。应注意，根据本行业中的标准惯例，各种特征未按比例绘制。实际上，为论述清晰起见，各种特征的尺寸可被任意增加或减少。

图1A根据本发明示例性实施例绘示第一示例性磁性薄膜电感器结构的三维表示图；且/或中间介电区114可被表征为被空气填充。

图1B根据本发明示例性实施例绘示第一示例性磁性薄膜电感器结构的运作的俯视图。

图1C根据本发明示例性实施例绘示第一示例性磁性薄膜电感器结构的第一示例性实施的三维表示图。

图1D及图1E根据本发明示例性实施例分别绘示第一示例性磁性薄膜电感器结构的第二示例性实施及第三示例性实施的三维表示图。

图2A根据本发明示例性实施例绘示第二示例性磁性薄膜电感器结构的三维表示图。

图2B根据本发明示例性实施例绘示第二示例性磁性薄膜电感器结构的运作。