[发明专利]冷头的制造方法有效
申请号: | 201810147666.8 | 申请日: | 2013-10-08 |
公开(公告)号: | CN108317763B | 公开(公告)日: | 2020-10-16 |
发明(设计)人: | 山田胜彦;布施圭一 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝;东芝高新材料公司 |
主分类号: | F25B9/00 | 分类号: | F25B9/00;C09K5/14 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 吴宗颐 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制造 方法 | ||
1.冷头的制造方法,其是包括:准备至少1个蓄冷容器的工序、和在所述蓄冷容器内填充不同种类的多个蓄冷材料粒子群的工序的冷头的制造方法,其中,构成所述多个蓄冷材料粒子群中的至少1个群的蓄冷材料粒子是含有稀土类元素作为构成成分的稀土类蓄冷材料粒子;其特征在于,
通过X射线光电子能谱分析,在所述稀土类蓄冷材料粒子的表面区域检测出显示碳成分的峰、以及显示含有所述稀土类元素和氧的化合物的峰,并且包括所述碳成分的总的碳含量为5质量ppm以上100质量ppm以下。
2.权利要求1所述的冷头的制造方法,其中,所述多个蓄冷材料粒子群经由金属网材填充到所述蓄冷容器内。
3.权利要求1所述的冷头的制造方法,其中,在所述蓄冷容器内的蓄冷材料填充区域填充金属网材。
4.权利要求2或3所述的冷头的制造方法,其中,填充铜网材料作为所述金属网材。
5.权利要求1所述的冷头的制造方法,其中,准备多个所述蓄冷容器。
6.权利要求5所述的冷头的制造方法,其包括在所述多个蓄冷容器中的至少1个蓄冷容器内填充铜网材料的工序。
7.权利要求1所述的冷头的制造方法,其包括在所述蓄冷容器内填充铅蓄冷材料粒子群作为所述多个蓄冷材料粒子群之一的工序。
8.权利要求1所述的冷头的制造方法,其包括在所述蓄冷容器内填充硫氧化钆蓄冷材料粒子群作为所述多个蓄冷材料粒子群之一的工序。
9.权利要求1所述的冷头的制造方法,其中,将所述多个蓄冷材料粒子群从比热峰高的蓄冷材料粒子群起依次填充到所述蓄冷容器内。
10.权利要求2所述的冷头的制造方法,其包括将所述蓄冷材料粒子群填充到所述蓄冷容器内后,挤压填充所述金属网材的工序。
11.权利要求1所述的冷头的制造方法,其中,所述冷头用于形成10K以下的极低温区域。
12.权利要求1所述的冷头的制造方法,其中,在所述稀土类蓄冷材料粒子的表面区域检测出的所述碳成分具有选自C-C键、C-H键、C-O键、C=O键和O-C=O键中的至少1种。
13.权利要求1所述的冷头的制造方法,其中,所述稀土类蓄冷材料粒子具备由下述组成式表示的金属间化合物:
RMa
式中,R为选自所述稀土类元素中的至少1种元素,M为选自Cu、Ni和Co中的至少1种元素,原子比a为满足0.1≤a≤4.0的数。
14.权利要求13所述的冷头的制造方法,其中,通过所述X射线光电子能谱分析,在所述表面区域检测出显示所述稀土类元素与氧的化合物的峰以及显示所述M元素与氧的化合物的峰。
15.权利要求13所述的冷头的制造方法,其中,所述稀土类元素与氧的化合物中的所述稀土类元素的原子数A相对于所述M元素与氧的化合物中的所述M元素的原子数B之比A/B大于a。
16.权利要求13所述的冷头的制造方法,其中,所述金属间化合物为选自HoCu2、HoCu、Er3Ni、ErNi和Er3Co中的至少1种。
17.权利要求1所述的冷头的制造方法,其中,在所述蓄冷容器内,一边向所述蓄冷材料粒子群施加振动一边填充。
18.权利要求1所述的冷头的制造方法,其中,所述冷头用于超导磁铁、检查装置、或低温泵。
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