[发明专利]一种电池片互联方法在审
申请号: | 201810148166.6 | 申请日: | 2018-02-13 |
公开(公告)号: | CN108198889A | 公开(公告)日: | 2018-06-22 |
发明(设计)人: | 倪志春;李淳慧;蔡霞;钱峰;魏青竹 | 申请(专利权)人: | 苏州腾晖光伏技术有限公司 |
主分类号: | H01L31/05 | 分类号: | H01L31/05;H01L31/18 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 孙仿卫;李萍 |
地址: | 215542 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 反光 焊带 电池片 压痕面 压平区 压痕 电池片背面 电池片正面 反射槽 互联 贴合 压平 焊接 光线反射率 背面电极 电极焊接 正面电极 拉拔力 电极 裂片 受光 制程 分段 平整 保留 | ||
本发明提供了一种电池片互联方法,解决反光焊带与电池片背面电极焊接拉拔力低的问题,并避免焊接制程中导致的裂片。包括如下步骤:A、提供反光焊带,所述反光焊带的一侧表面为受光的压痕面、另一侧表面为平整的非压痕面,所述压痕面上具有用于增加光线反射率的反射槽;B、将所述压痕面划分为位于电池片正面的非压平区及连接于电池片背面电极的压平区,对所述反光焊带进行分段压平处理将所述压痕面的压平区压平;C、所述反光焊带的与所述非压平区相对应的非压痕面和一电池片的正面电极相贴合,位于电池片正面上的压痕面保留所述反射槽,所述反光焊带的压痕面的所述压平区和另一电池片的背面电极贴合,然后相互焊接以将电池片互联。
技术领域
本发明属于太阳能晶硅电池组件领域,特别涉及一种采用反光焊带将电池片互联的方法。
背景技术
随着化石能源的大规模使用,造成全球环境问题日益严峻。同时化石燃料的全球可开采量也在不断减少,为实现全球经济、生态可持续发展,绿色新能源近几年发展突发猛进,其中当属太阳能光伏发电最具经济效益和社会环境价值。
太阳能光伏发电主要部件是太阳能电池组件(简称“电池板”),其中电池板是由若干个太阳能晶硅电池串并联形成电流回路的发电单元。太阳能晶硅电池(简称“电池片”)最终形成的光生电流是由光伏焊带(简称“焊带”)互联汇流而来,目前电池片互联是通过光伏焊带与电池片主栅银浆电极高温焊接实现的。光伏焊带焊接在电池表面,电池板在使用过程中太阳光照射在电池片表面上会有一部分光被光伏焊带遮挡,被遮挡的光线无法完全被电池片吸收,最终影响了电池片效率,造成电池板发电量减少。
目前为减少光遮挡造成电池板输出功率低,大多数光伏组件企业已开始批量使用反光焊带,通过反光焊带表面的锯齿状反光层将照射在焊带表面的光线反射回去,被反射的光线经过光伏玻璃的内表面层再反射到电池片表面被吸收,提高光线的利用率从而提升电池板输出功率。
反光焊带为满足常规自动串焊机焊接工艺要求,锯齿状反光层一般在焊带压延时就与焊带铜基材成型为一体,一面为压痕面、另一面为非压痕面。由于焊带表面锯齿状反光层(压痕面)是整体连续的,电池片在焊接过程中非压痕面贴合电池片正面(受光面)压痕面锯齿状反光层在上表面起到反光效果。因电池片需要互联,使用该类型反光焊带后与电池片背电极银浆焊接时焊接工艺将不适用,因为压痕面贴合电池片背电极,锯齿状反光层与电极接触面积小,无法保证焊接后的拉力且由于锯齿状反光层大多呈V型槽在电池板制程中尤其是层压工艺中易增加反光焊带应力造成的失效风险(如隐裂、明裂等),从而造成电池板制造成本上升和质量隐患风险增加。
发明内容
本发明旨在提供一种电池片互联方法,解决反光焊带与电池片背面电极焊接拉拔力低的问题,并避免焊接制程中导致的裂片。
本发明采用的技术方案如下:
一种电池片互联方法,包括如下步骤:
A、提供反光焊带,所述反光焊带的一侧表面为受光的压痕面、另一侧表面为平整的非压痕面,所述压痕面上具有用于增加光线反射率的反射槽;
B、将所述压痕面划分为位于电池片正面的非压平区及连接于电池片背面电极的压平区,对所述反光焊带进行分段压平处理将所述压痕面的压平区压平;
C、所述反光焊带的与所述非压平区相对应的非压痕面和一电池片的正面电极相贴合,位于电池片正面上的压痕面保留所述反射槽,所述反光焊带的压痕面的所述压平区和另一电池片的背面电极贴合,然后相互焊接以将电池片互联。
在一些实施例中,所述反射槽为沿反光焊带长度方向延伸的V形槽。
在一些实施例中,步骤B中,通过滚轮对所述反光焊带进行压平处理。
在一些实施例中,步骤B中,依次用粗压平滚轮、细压平滚轮对所述反光焊带的压平区进行压平处理。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的