[发明专利]磁装置及其制造方法

说明书

本公开提供一种磁装置及其制造方法。实施方式提供一种既能够得到高的垂直磁各向异性和磁阻效应又能够得到高的保持特性的磁装置及其制造方法。实施方式的磁装置具备磁阻效应元件。上述磁阻效应元件包括第1铁磁性体、第2铁磁性体以及第1稀土类磁性氧化物。上述第1稀土类磁性氧化物设置于上述第1铁磁性体与上述第2铁磁性体之间，将上述第1铁磁性体与上述第2铁磁性体进行磁耦合。

本申请享有以日本专利申请2017-175925号(申请日：2017年9月13日)为在先申请的优先权。本申请通过参照该在先申请而包括在先申请的全部的内容。

技术领域

实施方式涉及磁装置及其制造方法。

背景技术

已知有具有磁元件的磁装置。

发明内容

实施方式提供一种既能够得到高的垂直磁各向异性和磁阻效应、又能够得到高的保持特性的磁装置及其制造方法。

实施方式的磁装置具备磁阻效应元件。上述磁阻效应元件包括第1铁磁性体、第2铁磁性体以及第1稀土类磁性氧化物。上述第1稀土类磁性氧化物设置于上述第1铁磁性体与上述第2铁磁性体之间，将上述第1铁磁性体与上述第2铁磁性体进行磁耦合。

附图说明

图1是用于说明第1实施方式涉及的磁装置的构成的框图。

图2是用于说明第1实施方式涉及的磁装置的存储器单元的构成的截面图。

图3是用于说明第1实施方式涉及的磁装置的磁阻效应元件的构成的截面图。

图4是用于说明第1实施方式涉及的磁装置中的磁阻效应元件的制造方法的示意图。

图5是用于说明第1实施方式涉及的磁装置中的磁阻效应元件的制造方法示意图。

图6是用于说明第1实施方式涉及的磁装置中的磁阻效应元件的制造方法的示意图。

图7是用于说明第1实施方式涉及的磁装置的磁阻效应元件的特性的图表。

图8是用于说明第1实施方式涉及的磁装置的磁阻效应元件的特性的表格。

图9是用于说明第1实施方式的第1变形例涉及的磁装置的磁阻效应元件的构成的截面图。

图10是用于说明第1实施方式的第2变形例涉及的磁装置的磁阻效应元件的构成的截面图。

图11是用于说明第1实施方式的第3变形例涉及的磁装置的磁阻效应元件的构成的截面图。

具体实施方式

以下，参照附图对实施方式进行说明。此外，在以下的说明中，对于具有相同功能和构成的构成要素，标注共同的参照标号。另外，在对具有共同的参照标号的多个构成要素进行区别的情况下，对该共同的参照标号附加下标进行区别。此外，在对于多个构成要素不需要特别进行区别的情况下，对于该多个构成要素仅标注共同的参照标号，而不附加下标。

1.第1实施方式

对于第1实施方式涉及的磁装置进行说明。第1实施方式涉及的磁装置包括例如将磁阻效应(MTJ：Magnetic Tunnel Junction，磁隧道结)元件用作存储元件的、垂直磁化方式的磁存储装置(MRAM：Magnetoresistive Random Access Memory，磁性随机存取存储器)。

在以下的说明中，作为磁装置的一例，对于上述的磁存储装置进行说明。

1.1关于构成

首先，对于第1实施方式涉及的磁装置的构成进行说明。

1.1.1关于磁装置的构成