[发明专利]一种阶跃型超低衰减六模光纤

权利要求书

1.一种阶跃型超低衰减六模光纤，包括有芯层和包层，其特征在于所述芯层半径R1为10～20微米，芯层相对折射率差Δ1为-0.05％～0.2％，芯层外从内向外依次包覆内包层、下陷内包层、辅助外包层和外包层，所述的内包层半径R2为13～23微米，相对折射率差Δ2为-0.6％～-0.15％，所述的下陷内包层半径R3为16～26微米，相对折射率差Δ3为-0.9％～-0.3％，所述的辅助外包层半径R4为40～50微米，相对折射率差Δ4为-0.7％～-0.25％，所述的外包层为纯二氧化硅玻璃层；所述的光纤在C波段上支持六个LP模式的传播：LP01、LP11、LP21、LP02、LP31和LP12。

2.按权利要求1所述的阶跃型超低衰减六模光纤，其特征在于所述光纤的参数满足如下公式：其中，r₁为芯层半径；n₁为芯层的折射率值；n₄为辅助外包层的折射率值。

3.按权利要求1或2所述的阶跃型超低衰减六模光纤，其特征在于所述的芯层为锗氟及碱金属共掺的二氧化硅玻璃层，或为锗与碱金属共掺的二氧化硅玻璃层，其中锗的相对折射率贡献量为0.02％～0.15％，碱金属含量为5～5000ppm。

4.按权利要求3所述的阶跃型超低衰减六模光纤，其特征在于所述的碱金属为锂、钠、钾、铷、铯、钫碱金属离子中的一种或多种。

5.按权利要求1或2所述的阶跃型超低衰减六模光纤，其特征在于所述光纤中的基模LP01模的有效面积为150～300μm²，其它各高阶模的有效面积为150～400μm²。

6.按权利要求1或2所述的阶跃型超低衰减六模光纤，其特征在于所述光纤LP11模和LP01模之间的差分群时延DGD为-3～3ps/m，LP21模和LP01模之间的差分群时延DGD为-6～6ps/m，LP02模和LP01模之间的差分群时延DGD为-6～6ps/m，LP31模和LP01模之间的差分群时延DGD为-6～13ps/m，LP12模和LP01模之间的差分群时延DGD为-6～11ps/m。

7.按权利要求1或2所述的阶跃型超低衰减六模光纤，其特征在于所述光纤各个模式在波长1550nm处的色散等于或小于26ps/(nm·km)；所述光纤各个模式在1550nm处的模场直径为13～23微米。

8.按权利要求1或2所述的阶跃型超低衰减六模光纤，其特征在于所述光纤在波长1550nm处各模式的衰耗均小于或等于0.170dB/km。

9.按权利要求1或2所述的阶跃型超低衰减六模光纤，其特征在于所述光纤各个模式在波长1700nm处的微弯损耗小于或等于5dB/km。

10.按权利要求1或2所述的阶跃型超低衰减六模光纤，其特征在于所述光纤各模式在波长1550nm处，R15mm弯曲半径弯曲10圈的宏弯损耗等于或小于0.25dB，R10mm弯曲半径弯曲1圈的宏弯损耗等于或小于0.75dB。