[发明专利]一种掺杂材料及其有机电致发光器件在审

专利信息
申请号: 201810148775.1 申请日: 2018-02-13
公开(公告)号: CN108329286A 公开(公告)日: 2018-07-27
发明(设计)人: 蔡辉;孙敬 申请(专利权)人: 长春海谱润斯科技有限公司
主分类号: C07D307/91 分类号: C07D307/91;C07D307/77;C07C211/61;C07D209/86;C07D209/80;C09K11/06;H01L51/50;H01L51/54
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 130000 吉林省长春市北湖科技*** 国省代码: 吉林;22
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摘要:
搜索关键词: 有机电致发光器件 掺杂材料 有机物层 阴极 阳极 有机光电材料 电导率 空穴迁移率 电子供体 电子受体 发光效率 基质材料 驱动电压 热稳定性 使用寿命 掺杂剂 成膜 发光 掺杂 组建
【权利要求书】:

1.一种掺杂材料,其特征在于,包括掺杂剂和基质材料,所述掺杂剂具有结构式I所示的结构通式:

其中,所述R1、R2独立的选自取代或未取代的C1~C15的脂肪基、取代或未取代的C6~C60的芳基、取代或未取代的C3~C60的杂芳基中的一种;所述R3、R4、R5、R6独立的选自氰基、卤素、三氟甲基、三氟甲氧基、硝基、取代或未取代的C1~C60的脂肪基、取代或未取代的C6~C60的芳基、取代或未取代的C3~C60的杂芳基中的一种;所述Ar7、Ar8独立的选自取代或未取代C1-C12的脂肪基、取代或未取代的C6~C60的芳基、取代或未取代的C3~C60的杂芳基中的一种;

其中所述基质材料具有结构式II所示的结构通式:

所述X选自C(R)2、NR、P(O)R、PR、S、SO、SO2、Si(R)2、O中的一种,其中R选自取代或未取代的C1~C15的烷基、取代或未取代的C6~C24的芳基、取代或未取代的C3~C24的杂芳基中的一种;

所述A为氢、稠合在苯环上的取代或未取代的C6~C60的芳基、稠合在苯环上的取代或未取代的C3~C60的杂芳基中的一种;所述Ar1、Ar2、Ar3独立的选自取代或未取代的C6~C60的芳基、取代或未取代的C3~C60的杂芳基中的一种。

2.根据权利要求1所述的一种掺杂材料,其特征在于,

所述结构式I中的Ar7、Ar8独立地选自取代或未取代的C6–C12的芳基、取代或未取代的C3-C12的杂芳基;

所述结构式II中的X选自C(R)2、NR、S、Si(R)2、O中的一种,其中R选自取代或未取代的C1~C10的烷基、取代或未取代的C6~C18的芳基、取代或未取代的C3~C18的杂芳基中的一种;所述A为氢、稠合在苯环上的取代或未取代的C6~C30的芳基、稠合在苯环上的取代或未取代的C3~C30的杂芳基中的一种;所述Ar1、Ar2、Ar3独立的选自取代或未取代的C6~C30的芳基、取代或未取代的C3~C30的杂芳基中的一种。

3.根据权利要求1所述的一种掺杂材料,其特征在于,

所述结构式I中的Ar7、Ar8选自苯基;

所述结构式II中的X选自C(R)2、NR、S、O中的一种,其中R选自取代或未取代的C1~C8的烷基、取代或未取代的C6~C12的芳基、取代或未取代的C3~C12的杂芳基中的一种;所述A为氢、稠合在苯环上的取代或未取代的C6~C18的芳基、取代或未取代的C6~C18的杂芳基中的一种;所述Ar1、Ar2、Ar3独立的选自取代或未取代的C6~C18的芳基、取代或未取代的C3~C18的杂芳基中的一种。

4.根据权利要求1所述的一种掺杂材料,其特征在于,

所述结构式I中的R3、R4、R5、R6独立地选自氰基,C上的氢全部被卤素、氰基、三氟甲基、三氟甲氧基取代的C6-C30的芳基或C上的氢全部被卤素、氰基、三氟甲基取代的C3-C30的杂芳基;

所述结构式II中的X选自C(R)2、NR、S、Si(R)2、O中的一种,其中R独立的选自甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、叔丁基、苯甲基、苯乙基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的嘧啶基、取代或未取代的吡嗪基、取代或未取代的三嗪基、取代或未取代的呋喃基、取代或未取代的噻吩基、取代或未取代的吡咯基。

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