[发明专利]一种CMOS高温基准电压源有效
申请号: | 201810148837.9 | 申请日: | 2018-02-13 |
公开(公告)号: | CN108319323B | 公开(公告)日: | 2020-10-02 |
发明(设计)人: | 陈乐峰;陆文正 | 申请(专利权)人: | 杭州芯元微电子有限公司 |
主分类号: | G05F3/26 | 分类号: | G05F3/26 |
代理公司: | 北京亿腾知识产权代理事务所(普通合伙) 11309 | 代理人: | 陈霁 |
地址: | 310005 浙江省杭州市莫干山路14*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 cmos 高温 基准 电压 | ||
1.一种CMOS高温基准电压源,其特征在于,包括:基准核心电路;
所述基准核心电路具体包括:第一PMOS管(M4)、低压差线性稳压器(LDO)、彼此串联的第一阻抗电路和第二阻抗电路;其中,所述第一PMOS管(M4)源极连接电源VDD,栅极连接偏置电路,漏极连接低压差线性稳压器(LDO),低压线性稳压器(LDO)的另一端与电源VSS连接;彼此串联的第一阻抗电路和第二阻抗电路中所述第一阻抗电路的一端与所述第一PMOS管(M4)漏极相连,另一端通过第二阻抗电路与地或电源VSS连接;
第一阻抗电路和第二阻抗电路构成第一分压电路,第一阻抗电路由MOS管实现,第二阻抗电路由多个MOS管实现,且所述多个MOS管可以根据温度变化,由多个开关分别选择通断,第一阻抗电路和第二阻抗电路之间的节点提供第一电压输出。
2.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,所述第一阻抗电路包括:第一NMOS管(Mn1)和第一电阻器(R1);其中,所述第一NMOS管(Mn1)的源极与所述第一电阻器(R1)的第一端相连,所述第一NMOS管(Mn1)的栅极与所述第一电阻器(R1)的第二端相连,所述第一NMOS管(Mn1)的漏极与第一PMOS管(M4)的漏极连接。
3.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,所述第二阻抗电路包括:n个开关(Sx1~Sxn)、n个反向开关(Sx1N~SxnN)和n个NMOS管(Mx1~Mxn);
n个NMOS管(Mx1~Mxn)的漏极与n个反项开关(Sx1N~SxnN)中相对应的第一端连接,n个反项开关(Sx1N~SxnN)的第二端与n个NMOS管(Mx1~Mxn)的栅极相连,n个NMOS管(Mx1~Mxn)的源极与VSS相连;n个NMOS管(Mx1~Mxn)中的每个NMOS管的栅极同时还与n个开关(Sx1~Sxn)中相对应的开关的一端相连,n个开关(Sx1~Sxn)中的每个开关的另一端与VSS相连。
4.根据权利要求1-3所述的电路,其特征在于,所述基准核心电路还包括:第三电阻(R3)、第四电阻(R4)、彼此串联的第三阻抗电路和第四阻抗电路;其中,彼此串联的第三阻抗电路和第四阻抗电路中所述第三阻抗电路的一端与所述第一PMOS管(M4)漏极相连,另一端通过第四阻抗电路与地或电源VSS连接;
第三阻抗电路和第四阻抗电路构成第二分压电路,第三阻抗电路由MOS管实现,第四阻抗电路由多个MOS管实现,且所述多个MOS管可以根据温度变化,由多个开关分别选择通断,第三阻抗电路和第四阻抗电路之间的节点提供第二电压输出。
所述第三电阻(R3)和所述第四电阻(R4)串联在所述第一电压输出和所述第二电压输出之间,所述第三电阻(R3)和所述第四电阻(R4)之间的节点提供第三电压输出。
5.根据权利要求4所述的电路,其特征在于,所述第三阻抗电路结构包括:第二NMOS管(Mn2)和第二电阻器(R2);其中,所述第二NMOS管(Mn2)的源极与所述第二电阻器(R2)的第一端相连,所述第二NMOS管(Mn2)的栅极与所述第二电阻器(R2)的第二端相连;所述第一NMOS管(Mn1)的漏极与第一PMOS管(M4)的漏极连接。
6.根据权利要求4所述的电路,其特征在于,所述第四阻抗电路包括:n个开关(Sy1~Syn)、n个反向开关(Sy1N~SynN)和n个NMOS管(My1~Myn);
n个NMOS管(My1~Myn)的漏极与n个反项开关(Sy1N~SynN)中相对应的第一端连接,n个反项开关(Sy1N~SynN)的第二端与n个NMOS管(My1~Myn)的栅极相连,n个NMOS管(My1~Myn)的源极与VSS相连;n个NMOS管(My1~Myn)中的每个NMOS管的栅极同时还与n个开关(Sy1~Syn)中相对应的开关的一端相连,n个开关(Sy1~Syn)中的每个开关的另一端与VSS相连。
7.根据权利要求2和5所述的电路,其特征在于,所述第一NMOS管(Mn1)和所述第二NMOS管(Mn2)为耗尽型NMOS管。
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