[发明专利]长纤维增强碳化硅构件、其制造方法及核反应堆结构构件有效

专利信息
申请号: 201810148840.0 申请日: 2018-02-13
公开(公告)号: CN108863418B 公开(公告)日: 2022-01-04
发明(设计)人: 须山章子;鹈饲胜;内桥正幸;垣内一雄;日置秀明 申请(专利权)人: 株式会社东芝;东芝能源系统株式会社
主分类号: C04B35/80 分类号: C04B35/80;C04B35/565;G21D1/00;C04B35/64;C04B35/52;C04B35/628
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 陈建全
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 纤维 增强 碳化硅 构件 制造 方法 核反应堆 结构
【权利要求书】:

1.一种长纤维增强碳化硅构件,其是筒形状的长纤维增强碳化硅构件,其具有:

在碳化硅的基体中使碳化硅的长纤维复合化而成的第1复合材料层;和

在碳化硅的基体中使碳的长纤维复合化而成的第2复合材料层,

其中,将所述第1复合材料层与所述第2复合材料层进行层叠,

所述长纤维增强碳化硅构件进一步具有中间层,其介入于所述第1复合材料层与所述第2复合材料层之间,

所述中间层由选自碳化钛铝、碳化钒铝、碳化铬铝、碳化铌铝、碳化钽铝、碳化钛硅中的单一材料所形成。

2.根据权利要求1所述的长纤维增强碳化硅构件,其中,所述第1复合材料层的厚度为0.2mm~5mm。

3.根据权利要求1或2所述的长纤维增强碳化硅构件,其中,所述第2复合材料层的厚度为0.2mm~2mm。

4.根据权利要求1所述的长纤维增强碳化硅构件,其中,所述中间层的结晶形态为六方晶。

5.根据权利要求1所述的长纤维增强碳化硅构件,其中,所述中间层的厚度为0.01mm~0.2mm。

6.根据权利要求1所述的长纤维增强碳化硅构件,

其具有涂覆材料层,所述涂覆材料层形成于所述第1复合材料层与所述第2复合材料层中的至少一者的表面,

所述涂覆材料层由选自碳、碳化钛、氮化铬、氮化铬铝、硅酸钇、硅酸镱、硅酸钪、锆合金中的单一材料所形成。

7.根据权利要求6所述的长纤维增强碳化硅构件,其中,所述涂覆材料层的厚度为0.05mm~0.5mm。

8.一种长纤维增强碳化硅构件的制造方法,其是制造将第1复合材料层与第2复合材料层层叠而成的筒形状的长纤维增强碳化硅构件的制造方法,其具有:

通过在碳化硅的基体中使碳化硅的长纤维复合化来形成所述第1复合材料层的工序;和

通过在碳化硅的基体中使碳的长纤维复合化来形成所述第2复合材料层的工序,

其中,所述第1复合材料层的形成和所述第2复合材料层的形成采用化学气相蒸镀法和化学气相渗透法中的至少一者来进行,

所述制造方法进一步具有形成介入于所述第1复合材料层与所述第2复合材料层之间的中间层的工序,

所述中间层由选自碳化钛铝、碳化钒铝、碳化铬铝、碳化铌铝、碳化钽铝、碳化钛硅中的单一材料来形成,

所述中间层的形成采用化学气相蒸镀法和化学气相渗透法中的至少一者来进行。

9.根据权利要求8所述的长纤维增强碳化硅构件的制造方法,其进一步具有在所述第1复合材料层和所述第2复合材料层中的至少一者的表面形成涂覆材料层的工序,

所述涂覆材料层由选自碳、碳化钛、氮化铬、氮化铬铝、硅酸钇、硅酸镱、硅酸钪、锆合金中的单一材料来形成,

所述涂覆材料层的形成采用化学气相蒸镀法和化学气相渗透法中的至少一者来进行。

10.一种核反应堆结构构件,其由权利要求1~7中任一项所述的长纤维增强碳化硅构件形成。

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