[发明专利]存储装置

说明书

实施方式提供一种使晶体管的动作速度提高的存储装置。实施方式的存储装置具备：多个第1电极层，在第1方向上积层；两个以上的第2电极层，在所述第1方向上积层在所述第1电极层上；信道层，在所述第1方向上贯穿所述第1电极层及所述第2电极层；以及电荷累积层，设置在所述第1电极层与所述信道层之间。所述第2电极层的所述第1方向的层厚比所述第1电极层的所述第1方向的层厚更厚。

[相关申请]

本申请享有以日本专利申请2017-49984号(申请日：2017年3月15日)作为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。

技术领域

实施方式涉及一种存储装置。

背景技术

包含三维配置的存储单元的存储装置的开发不断取得进展。例如，NAND((Not-And，与非))型存储装置包含：多个电极层，积层在源极层上；信道层，将多个电极层在积层方向上贯穿；以及存储层，设置在多个电极层与信道层之间。存储单元分别配置在信道层贯穿多个电极层的部分，通过信道层与电极层之间的电位差进行动作。在这种构成的存储装置中，在沿着信道层配置的存储单元的两侧配置晶体管，控制信道层与电极层之间的电位差。然而，如果存储装置的集成度变高，那么存在晶体管的接通/断开(on/off)动作产生延迟而引起存储单元的误动作的情况。

发明内容

实施方式提供一种使晶体管的动作速度提高的存储装置。

实施方式的存储装置具备：多个第1电极层，在第1方向上积层；两个以上的第2电极层，在所述第1方向上积层在所述第1电极层上；信道层，在所述第1方向上贯穿所述第1电极层及所述第2电极层；以及电荷累积层，设置在所述第1电极层与所述信道层之间。所述第2电极层的所述第1方向的层厚比所述第1电极层的所述第1方向的层厚更厚。

附图说明

图1是示意性地表示实施方式的存储装置的立体图。

图2(a)及(b)是表示实施方式的存储装置的示意图。

图3(a)及(b)、图4(a)及(b)、图5(a)及(b)、图6(a)及(b)是表示实施方式的存储装置的制造过程的示意剖视图。

图7是表示实施方式的第1变化例的存储装置的示意剖视图。

图8是表示实施方式的第2变化例的存储装置的示意剖视图。

图9是表示实施方式的第3变化例的存储装置的示意剖视图。

图10是表示实施方式的第4变化例的存储装置的示意剖视图。

具体实施方式

以下，一边参照附图，一边对实施方式进行说明。对附图中的相同部分标注相同编号而适当省略其详细说明，并针对不同部分进行说明。此外，附图是示意性或概念性的图，各部分的厚度与宽度的关系、部分间的大小比率等未必与实物相同。另外，即便在表示相同部分的情况下，有时也根据附图而将相互的尺寸或比率不同地表示。

进而，使用各图中所示的X轴、Y轴及Z轴来说明各部分的配置及构成。X轴、Y轴及Z轴相互正交，分别表示X方向、Y方向及Z方向。另外，存在将Z方向设为上方，将Z方向的相反方向设为下方而进行说明的情况。

图1是示意性地表示实施方式的存储装置1的立体图。存储装置1例如为NAND型非易失性存储装置，包含三维配置的存储单元。

像图1所示那样，存储装置1具备导电层(以下称为源极层10)、字线20、选择栅极30a、选择栅极30b及选择栅极40。选择栅极30a及30b排列配置在字线20中的最上层20a之上。选择栅极40配置在源极层10与字线20中的最下层20b之间。