[发明专利]互连结构及其制造方法、包括互连结构的电子设备

权利要求书

1.一种互连结构，包括：

处于第一高度的第一互连线，至少包括沿第一方向延伸的第一部分；

处于比第一高度高的第二高度的第二互连线，至少包括沿与第一方向交叉的第二方向延伸的第二部分；

设于第一互连线的第一部分与第二互连线的第二部分之间用于将第一互连线和第二互连线电连接的过孔插塞，

其中，过孔插塞包括分别与第一部分的相对侧壁实质上平行延伸的第一对侧壁以及分别与第二部分的相对侧壁实质上平行延伸的第二对侧壁；第一互连线、第二互连线和过孔插塞中至少之一包括金属元素与半导体元素的化合物。

2.根据权利要求1所述的互连结构，其中，在俯视图中，过孔插塞与第一部分和第二部分的相交部分实质上中心对准。

3.根据权利要求1所述的互连结构，其中，过孔插塞的第二对侧壁分别与第二部分的相对侧壁实质上共面。

4.根据权利要求1所述的互连结构，其中，过孔插塞的第一对侧壁相对于第一部分的相对侧壁分别缩进基本上相同的距离。

5.根据权利要求1所述的互连结构，其中，过孔插塞包括的金属元素与半导体元素的化合物中至少部分半导体元素不同于第一互连线和/或第二互连线包括的金属元素与半导体元素的化合物中的半导体元素。

6.根据权利要求1所述的互连结构，其中，所述化合物包括硅化物、锗化物或硅锗化物中至少之一。

7.根据权利要求1所述的互连结构，其中，所述化合物中的金属元素包括Ni、Pt、Co、Ti和Ru中至少之一，半导体元素包括硅和锗中至少之一。

8.根据权利要求1所述的互连结构，还包括：

处于第一高度的第三互连线，至少包括沿第一方向延伸的第三部分；

处于第二高度的第四互连线，至少包括沿第二方向延伸的第四部分；以及

在第三互连线的第三部分与第四互连线的第四部分相交之处设有第三部分和第四部分之间的空隙或低k介质材料。

9.一种制造互连结构的方法，包括：

在层间电介质层上依次形成第一互连线材料层和过孔插塞材料层；

按照第一互连线的布局，对过孔插塞材料层和第一互连线材料层进行构图，从而由第一互连线材料层形成第一互连线，其中，第一互连线至少包括沿第一方向延伸的第一部分；

进一步升高层间电介质层至与过孔插塞材料层的顶面实质上齐平；

在层间电介质层上形成第二互连线材料层；以及

按照第二互连线的布局，对第二互连线材料层和过孔插塞材料层进行构图，从而由第二互连线材料层形成第二互连线，其中，第二互连线至少包括沿与第一方向交叉的第二方向延伸的第二部分，从而在第一部分与第二部分相交之处由过孔插塞材料层形成过孔插塞。

10.根据权利要求9所述的方法，还包括：

相对于第一互连线和第二互连线，选择性刻蚀选定的过孔插塞，以去除该选定的过孔插塞。

11.根据权利要求10所述的方法，还包括：

进一步升高层间电介质层，但至少部分地保留第一部分和第二部分相交之处由于过孔插塞的去除而留下的空隙。

12.根据权利要求9所述的方法，其中，

第一互连线材料层包括第一半导体材料，过孔插塞材料层包括第二半导体材料，

对过孔插塞材料层和第一互连线材料层进行构图包括：

按照第一互连线的布局，对过孔插塞材料层进行构图；

在过孔插塞材料层的表面上形成保护层；

以表面上形成有保护层的过孔插塞材料层为掩模，对第一互连线材料层进行构图，该方法还包括：

在存在保护层的情况下，使金属与构图后的第一互连线材料层发生反应，以生成低阻材料；

去除保护层。