[发明专利]SOI衬底及其制备方法

权利要求书

1.一种SOI衬底的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供具有第一导电类型的硅衬底；

在所述硅衬底内形成多个第一导电类型区域和多个第二导电类型区域，所述第一导电类型区域和所述第二导电类型区域网格状交错分布，所述第一导电类型区域与所述第二导电类型区域的导电类型相反；

形成设于所述硅衬底上的埋氧化层和设于所述埋氧化层上的顶层硅；

其中，所述在所述硅衬底内形成多个第一导电类型区域和多个第二导电类型区域，包括：

在所述硅衬底上涂覆光刻胶层；

通过曝光显影在所述光刻胶层开设多个第二导电类型区域的注入窗口；

通过所述第二导电类型区域的注入窗口向所述硅衬底注入第二导电类型离子。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述硅衬底内形成多个第一导电类型区域和多个第二导电类型区域的步骤之后、所述形成设于所述硅衬底上的埋氧化层和设于所述埋氧化层上的顶层硅的步骤之前，还包括对所述硅衬底进行热退火处理的步骤。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述通过所述第二导电类型区域的注入窗口向所述硅衬底注入第二导电类型离子的步骤中，所述第二导电类型离子的注入深度范围为1μm至5μm。

4.根据权利要求1至3任意一项所述的制备方法，其特征在于，各所述第一导电类型区域和各所述第二导电类型区域的形状为正方形、长方形或圆形中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一导电类型区域和所述第二导电类型区域位于所述硅衬底的内部。

6.一种SOI衬底，其特征在于，包括：

硅衬底，包括第一导电类型区域和第二导电类型区域，所述第一导电类型区域和所述第二导电类型区域网格状交错分布，所述第一导电类型区域与所述第二导电类型区域的导电类型相反；

埋氧化层，位于所述硅衬底上；

顶层硅，位于所述埋氧化层上。

7.根据权利要求6所述的SOI衬底，其特征在于，各所述第一导电类型区域和各所述第二导电类型区域位于所述硅衬底的表层时，所述埋氧化层位于所述硅衬底上，且与各所述第一导电类型区域和各所述第二导电类型区域接触。

8.根据权利要求6所述的SOI衬底，其特征在于，各所述第一导电类型区域的多数载流子浓度范围为1×10¹⁵cm^-3至1×10¹⁹cm^-3；各所述第二导电类型区域的多数载流子浓度范围为1×10¹⁵cm^-3至1×10¹⁹cm^-3。

9.根据权利要求6所述的SOI衬底，其特征在于，各所述第一导电类型区域和各所述第二导电类型区域的形状相同或不同。

10.根据权利要求6所述的SOI衬底，其特征在于，各所述第一导电类型区域和各所述第二导电类型区域中多数载流子的浓度相同或不同。