[发明专利]形成安装在基板上的半导体器件的方法

说明书

本发明披露了一种形成半导体器件的方法。该方法包括以下步骤：将含有Ni的第一金属层沉积在基板的背面，镀敷基板的背面，从而使刻线部分中的第一金属层露出，将第三金属层沉积在基板的整个背面，并且选择性地去除刻线部分中的第三金属层，从而将第一金属层留在刻线中。

技术领域

本发明涉及形成半导体器件的方法，具体地说，本发明涉及可以增强半导体器件与组装基板的结合强度的方法。

背景技术

通常使用例如钎焊材料(诸如具有低熔点的共晶合金或焊料，或者导电树脂等)将半导体芯片安装在组装基板上。日本专利申请公开No.JP-2015-035495A披露了将半导体器件安装在组装基板上的技术。然而，在半导体芯片的背面露出有半导体材料(通常为半导体芯片的半导体基板)的情况下，这种半导体材料相对于钎焊材料通常表现出较小的浸润性，这可能使半导体芯片与组装基板的结合强度降低。

发明内容

本发明的一个方面涉及一种形成半导体器件的方法，所述半导体器件包括利用钎焊材料安装在安装基板上的半导体芯片。所述方法包括以下步骤：(a)制备包括顶面和与所述顶面相反的背面的基板，所述顶面上具有外延层；(b)在所述基板的整个所述背面上沉积第一金属层；(c)使所述第一金属层镀敷有第二金属层，从而使所述第一金属层的与划分所述半导体芯片的刻线对应的部分露出；(d)在所述第二金属层上以及所述刻线中的从所述第二金属层露出的所述第一金属层上沉积第三金属层；(e)去除所述第三金属层，从而将所述第一金属层留在所述刻线中并将所述第二金属层留在除所述刻线以外的区域中；(f)沿所述刻线切割所述基板，从而形成所述半导体芯片；以及(g)利用所述钎焊材料将所述半导体芯片安装在所述安装基板上。本发明的方法具有这样的特征：第一金属层含有镍(Ni)和在所述第一金属层的顶部中的金属材料，所述金属材料相对于所述钎焊材料表现出浸润性，并且所述第三金属层含有镍(Ni)和钛(Ti)中的至少一者。

附图说明

参考附图根据以下对本发明的优选实施例的详细描述，将更好地理解上述和其它目的、方面以及优点，其中：

图1A是示出根据本发明的实施例的半导体器件的平面图，并且图1B是示出沿图1A中显示的线IB-IB截取的半导体器件的剖视图；

图2A至图2C示出了形成图1A和图1B所示的半导体器件的方法；

图3A至图3C示出了继图2C所示的方法之后的形成半导体器件的方法；

图4A至图4C示出了继图3C所示的方法之后的形成半导体器件的方法；

图5A至图5C示出了继图4C所示的方法之后的形成半导体器件的方法；

图6A至图6C示出了继图5C所示的方法之后的形成半导体器件的方法；

图7A至图7C示出了继图6C所示的方法之后的形成半导体器件的方法；

图8A和图8B示出了形成与本发明的半导体器件可比较的常规半导体器件的方法；并且

图9示出了与本实施例的半导体器件可比较的常规半导体器件的剖视图。

具体实施方式

接下来，将参考附图描述本发明的实施例。在实施例的描述中，彼此相同或相似的附图标记或符号将指彼此相同或相似的元件，并且不重复进行解释。