[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质

说明书

本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。要解决的课题为提高在衬底上形成的SiOCN膜的膜质。半导体器件的制造方法进行下述工序：将非同时地进行下述工序的循环进行规定次数，从而在衬底上形成包含硅、氧、碳及氮的膜的工序：对衬底同时供给第一氨基硅烷和氧化剂从而形成包含硅、氧、碳及氮的层的工序，和于第一温度下对层进行第一改质处理的工序；及于比第一温度高的第二温度下对膜进行第二改质处理的工序。

技术领域

本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。

背景技术

作为半导体器件的制造工序的一个工序，存在进行下述处理的情况：对衬底供给氨基硅烷和氧化剂，从而在衬底上形成包含硅(Si)、氧(O)、碳(C)及氮(N)的硅氧碳氮化膜(SiOCN膜)的处理(参见例如专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2006-351694号公报

发明内容

发明要解决的课题

本发明的目的在于，提供能够提高在衬底上形成的SiOCN膜的膜质的技术。

用于解决课题的手段

根据本发明的一个方式，提供一种技术，所述技术进行下述工序：

将非同时地进行下述工序的循环进行规定次数，从而在衬底上形成包含硅、氧、碳及氮的膜的工序，非同时地进行下述工序的所述循环包括：对所述衬底同时供给第一氨基硅烷和氧化剂从而形成包含硅、氧、碳及氮的层的工序，和于第一温度下对所述层进行第一改质处理的工序；及

于比所述第一温度高的第二温度下对所述膜进行第二改质处理的工序。

发明效果

根据本发明，能够提高在衬底上形成的SiOCN膜的膜质。

附图说明

图1是本发明的实施方式中适合使用的衬底处理装置的立式处理炉的概略构成图，并且是以纵剖面图表示处理炉部分的图。

图2是本发明的实施方式中适合使用的衬底处理装置的立式处理炉的概略构成图，并且是以图1的A-A线剖面图表示处理炉部分的图。

图3是本发明的实施方式中适合使用的衬底处理装置的控制器的概略构成图，并且是以框图表示控制器的控制系统的图。

图4中的(a)为表示本发明的一个实施方式的成膜顺序的图，(b)为表示其变形例的图。

图5中的(a)、(b)分别为表示本发明的一个实施方式的成膜顺序的变形例的图。

图6中的(a)、(b)分别为表示本发明的一个实施方式的成膜顺序的变形例的图。

图7为表示本发明的一个实施方式的成膜顺序的变形例的图。

图8为表示膜质的评价结果的图。

附图标记说明

200···晶片(衬底)

具体实施方式

本发明的一个实施方式

以下，参照图1～图3，说明本发明的一个实施方式。

(1)衬底处理装置的构成

如图1所示，处理炉202具有作为加热机构(温度调节部)的加热器207。加热器207为圆筒形，通过支承于保持板而垂直地安装。加热器207也作为利用热来使气体活化(激发)的活化机构(激发部)发挥功能。