[发明专利]参考电压电路、终端装置及其操作方法

权利要求书

1.一种参考电压电路，其特征在于，包括：

第一电流偏置电路，包括第一节点；

第二电流偏置电路，包括多个NMOS晶体管及第二节点，其中所述多个NMOS晶体管包括第一NMOS晶体管及第二NMOS晶体管，所述第一NMOS晶体管连接到所述第一节点，且所述多个NMOS晶体管中的每一者连接到所述第二节点且被配置成基于所述第一节点的第一电压来执行亚阈值操作以在所述第二节点处产生第二电压；以及

放大器，被配置成输出参考电压，所述参考电压具有与所述第二电压相同的值，其中所述放大器还包括：

第一PMOS晶体管，包括与电源电压连接的第一PMOS晶体管源极、与所述第一电流偏置电路连接的第一PMOS晶体管栅极以及第一PMOS晶体管漏极；以及

电阻器，连接在所述第一PMOS晶体管漏极与地电压之间，

其中所述放大器还被配置成产生输出电流，所述输出电流具有与在所述第一电流偏置电路中流动的电流相同的值，并且所述放大器依据所述输出电流以及所述电阻器以输出所述参考电压。

2.根据权利要求1所述的参考电压电路，其特征在于，所述第一电流偏置电路被配置成基于具有与绝对温度互补特性的第一电流产生所述第一节点的所述第一电压。

3.根据权利要求1所述的参考电压电路，其特征在于，所述第一电流偏置电路包括PNP双极晶体管，所述PNP双极晶体管包括射极、基极及集电极，其中所述射极连接到所述第一节点，且所述基极及所述集电极连接到所述地电压，且

其中所述PNP双极晶体管的基极-射极电压被提供作为所述第一节点的所述第一电压。

4.根据权利要求1所述的参考电压电路，其特征在于，所述第一电流偏置电路包括二极管，所述二极管包括与所述第一节点连接的阳极以及与所述地电压连接的阴极，且

其中所述二极管的正向电压被提供作为所述第一节点的所述第一电压。

5.根据权利要求1所述的参考电压电路，其特征在于，第一电流路径包括所述第二节点，且

其中所述放大器包括第二电流路径，所述第二电流路径包括第三节点，所述第三节点是与所述第二节点对称的且是所述参考电压电路的输出节点并输出所述参考电压。

6.根据权利要求1所述的参考电压电路，其特征在于，所述第二电流偏置电路被配置成基于具有与绝对温度成正比特性的电流产生所述第二电压。

7.根据权利要求1所述的参考电压电路，其特征在于，所述第一NMOS晶体管包括与所述第一节点连接的第一NMOS晶体管栅极、与所述电源电压连接的第一NMOS晶体管漏极以及第一NMOS晶体管源极，且

其中所述第二NMOS晶体管包括第二NMOS晶体管栅极、第二NMOS晶体管漏极以及与所述地电压连接的第二NMOS晶体管源极，其中所述第一NMOS晶体管源极连接到所述第二NMOS晶体管栅极以及所述第二NMOS晶体管漏极。

8.根据权利要求7所述的参考电压电路，其特征在于，所述第一NMOS晶体管与所述第二NMOS晶体管之间的连接节点是所述第二节点且输出所述第二电压。

9.根据权利要求7所述的参考电压电路，其特征在于，所述第二电流偏置电路还包括：

第三NMOS晶体管，包括与所述第二NMOS晶体管栅极及所述第二NMOS晶体管漏极连接的第三NMOS晶体管栅极、与所述电源电压连接的第三NMOS晶体管漏极以及第三NMOS晶体管源极，以及

第四NMOS晶体管，包括第四NMOS晶体管栅极及第四NMOS晶体管漏极以及与所述地电压连接的第四NMOS晶体管源极，其中所述第三NMOS晶体管源极连接到所述第四NMOS晶体管栅极及所述第四NMOS晶体管漏极。

10.根据权利要求9所述的参考电压电路，其特征在于，所述第二节点位于所述第三NMOS晶体管与所述第四NMOS晶体管之间。