[发明专利]非易失性存储器设备和包括其的存储系统在审
申请号: | 201810151093.6 | 申请日: | 2018-02-13 |
公开(公告)号: | CN108628757A | 公开(公告)日: | 2018-10-09 |
发明(设计)人: | 李浩俊;任琫淳;朴相元 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G06F12/02 | 分类号: | G06F12/02;G11C29/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 王洵 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 重映射 存储 选择存储 非易失性存储器 存储单元阵列 坏块 电路 存储系统 地址产生 配对 访问 | ||
1.一种非易失性存储器设备,包括:
存储单元阵列,包括彼此配对的第一片和第二片,所述第一片包括多个第一存储块,所述第二片包括多个第二存储块,所述多个第一存储块中的第一选择存储块和所述多个第二存储块中的第二选择存储块基于第一地址来访问;以及
坏块重映射电路,被配置为当确定所述第一选择存储块有缺陷时,基于所述第一地址产生第一重映射地址,
其中所述多个第一存储块中的第一重映射存储块和所述第二选择存储块基于所述第一重映射地址来访问。
2.根据权利要求1所述的非易失性存储器设备,其中,所述多个第一存储块中的第三选择存储块和所述多个第二存储块中的第四选择存储块基于与所述第一地址不同的第二地址来访问,
其中所述坏块重映射电路被配置为当确定所述第四选择存储块有缺陷时基于所述第二地址产生第二重映射地址,以及
其中所述第三选择存储块和所述多个第二存储块中的第二重映射存储块基于所述第二重映射地址来访问。
3.根据权利要求2所述的非易失性存储器设备,其中,所述第一选择存储块和所述第四选择存储块被布置为一对坏存储块。
4.根据权利要求2所述的非易失性存储器设备,其中,所述坏块重映射电路包括:
第一重映射电路,被配置为当从外部设备接收的输入地址与所述第一地址基本相同时,用所述第一重映射地址替换所述输入地址;以及
第二重映射电路,被配置为当所述输入地址与所述第二地址基本相同时,用所述第二重映射地址替换所述输入地址。
5.根据权利要求4所述的非易失性存储器设备,其中,所述第一重映射电路包括:
第一储存单元,被配置为存储所述第一地址;
第二储存单元,被配置为存储所述第一重映射地址;
比较单元,被配置为将所述输入地址与所述第一地址进行比较;以及
输出单元,被配置为基于比较结果输出所述输入地址和所述第一重映射地址中的一个。
6.根据权利要求5所述的非易失性存储器设备,其中,所述输出单元被配置为当所述输入地址与所述第一地址基本相同时输出所述第一重映射地址,以及
其中所述输出单元被配置为当所述输入地址不同于所述第一地址时输出所述输入地址。
7.根据权利要求5所述的非易失性存储器设备,其中,所述第二储存单元包括:
多个熔丝,每个熔丝存储所述第一重映射地址的相应的一个比特。
8.根据权利要求1所述的非易失性存储器设备,还包括:
确定电路,被配置为确定坏块重映射电路被启用还是禁用。
9.根据权利要求8所述的非易失性存储器设备,其中,所述确定电路与所述坏块重映射电路集成。
10.根据权利要求1所述的非易失性存储器设备,其中,所述第一选择存储块是在所述非易失性存储器设备的制造过程期间发生缺陷的初始坏存储块。
11.根据权利要求1所述的非易失性存储器设备,其中,所述坏块重映射电路被配置为当确定所述第一重映射存储块有缺陷时,基于所述第一地址进一步产生第二重映射地址,
其中所述第二重映射地址具有比所述第一重映射地址的优先级更高的优先级,
其中所述非易失性存储器设备还包括:
优先级解码器,被配置为将所述第一重映射地址的优先级与所述第二重映射地址的优先级进行比较以输出所述第二重映射地址。
12.根据权利要求11所述的非易失性存储器设备,其中,所述第一重映射存储块是在所述非易失性存储器设备的制造过程之后和在所述非易失性存储器设备的使用期间发生缺陷的运行时坏存储块。
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