[发明专利]用于静电放电（ESD）保护的装置和方法

权利要求书

1.一种静电放电(ESD)保护装置，其特征在于，所述ESD保护装置包括：

第一双极装置，其连接到第一节点；

第二双极装置，其连接到所述第一双极装置且连接到第二节点；以及

金属氧化物半导体(MOS)装置，其连接到所述第一节点和所述第二节点且连接到所述第一双极装置和所述第二双极装置，并且被配置成响应于在所述第一节点与所述第二节点之间接收的ESD脉冲而对电流进行分流，其中所述第一双极装置、所述第二双极装置和所述MOS装置形成于深阱结构上。

2.根据权利要求1所述的ESD保护装置，其特征在于，所述MOS装置包括连接到所述第二节点的栅极端以及连接到所述第一双极装置和所述第二双极装置的主体。

3.根据权利要求1所述的ESD保护装置，其特征在于，所述第一双极装置包括第一双极晶体管，其中所述第二双极装置包括第二双极晶体管，其中所述MOS装置包括NMOS晶体管，且其中所述深阱结构包括深N阱层。

4.根据权利要求3所述的ESD保护装置，其特征在于，所述第一双极晶体管和所述第二双极晶体管属于不同类型。

5.根据权利要求3所述的ESD保护装置，其特征在于，所述第一双极晶体管包括PNP双极晶体管，且其中所述第二双极晶体管包括NPN双极晶体管。

6.根据权利要求5所述的ESD保护装置，其特征在于，所述NMOS晶体管包括：

栅极端和源极端，其连接到所述NPN双极晶体管的发射极且连接到所述第二节点；

漏极端，其连接到所述PNP双极晶体管的发射极且连接到所述第一节点；以及

主体，其连接到所述PNP双极晶体管的集电极且连接到所述NPN双极晶体管的基极。

7.根据权利要求6所述的ESD保护装置，其特征在于，所述PNP双极晶体管的基极连接到所述NPN双极晶体管的集电极。

8.根据权利要求7所述的ESD保护装置，其特征在于，所述PNP双极晶体管的所述基极和所述NPN双极晶体管的所述集电极连接到第三节点。

9.一种静电放电(ESD)保护装置，其特征在于，所述ESD保护装置包括：

PNP双极晶体管，其连接到第一节点；

NPN双极晶体管，其连接到所述PNP双极晶体管且连接到第二节点；以及

NMOS晶体管，其连接到所述第一节点和所述第二节点、连接到所述PNP双极晶体管以及所述NPN双极晶体管，并且被配置成响应于在所述第一节点与所述第二节点之间接收的ESD脉冲对电流进行分流，其中所述PNP双极晶体管、所述NPN双极晶体管和所述NMOS晶体管形成于深N阱结构上，以使得所述PNP双极晶体管响应于所述ESD脉冲充当二极管。

10.一种用于操作静电放电(ESD)保护装置的方法，其特征在于，所述方法包括：

在所述ESD保护装置处接收ESD脉冲；

响应于所述ESD脉冲，激活形成于深阱结构上的所述ESD保护装置的集成二极管；以及

响应于激活所述集成二极管，使用所述ESD保护装置的金属氧化物半导体(MOS)装置传导来自所述ESD脉冲的ESD电流。