[发明专利]发光二极管有效
申请号: | 201810151726.3 | 申请日: | 2018-02-14 |
公开(公告)号: | CN108428800B | 公开(公告)日: | 2022-09-09 |
发明(设计)人: | 金东赞;金元钟;文智永;徐东揆;吕明哲;李智慧;赵尹衡 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/56;H01L27/32 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 王东贤;王珍仙 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 | ||
1.一种发光二极管,包括:
与第二电极重叠的第一电极;
在所述第一电极与所述第二电极之间的发光层,所述发光层通过组合多个层而发射白光;
在所述发光层的所述多个层之间的电荷产生层;
在所述第一电极与所述发光层之间的第一空穴注入层和第二空穴注入层;
在所述第一空穴注入层与所述第二空穴注入层之间的第一空穴传输层,
其中,所述第一空穴注入层和所述第二空穴注入层中的每个包括无机偶极材料,所述第一空穴注入层和所述第二空穴注入层中的至少一个包括有机材料,所述电荷产生层包括所述无机偶极材料,并且所述电荷产生层中的所述无机偶极材料和所述第一空穴注入层或所述第二空穴注入层中的所述无机偶极材料相同。
2.如权利要求1所述的发光二极管,其中:
所述第一空穴注入层邻近于所述第一电极,并且
所述第二空穴注入层在所述第一空穴传输层与所述发光层之间。
3.如权利要求2所述的发光二极管,进一步包括:
在所述第二空穴注入层与所述发光层之间的第二空穴传输层。
4.如权利要求1所述的发光二极管,其中所述无机偶极材料包括以下中的至少一种:CuI、AgI、AuI、ZnI2、NiI2、PdI2、PtI2、CoI2、RhI2、IrI2、FeI2、RuI2、OsI2、MnI2、TcI2、ReI2、CrI3、MoI3、WI3、VI3、NbI3、TaI3、TiI4、ZrI4、HfI4、SnI2、SnI4、GeI2、GeI4、CuBr、AgBr、AuBr、ZnBr2、PdBr2、PtBr2、CoBr2、RhBr2、IrBr2、FeBr2、RuBr2、OsBr2、MnBr2、TcBr2、ReBr2、CrBr3、MoBr3、WBr3、VBr3、NbBr3、TaBr3、TiBr4、ZrBr4、HfBr4、CuCl、AgCl、AuCl、ZnCl2、PdCl2、PtCl2、CoCl2、RhCl2、IrCl2、FeCl2、RuCl2、OsCl2、MnCl2、TcCl2、ReCl2、CrCl3、MoCl3、WCl3、VCl3、NbCl3、TaCl3、TiCl4、ZrCl4、HfCl4、CuF、AgF、AuF、ZnF2、PdF2、PtF2、CoF2、RhF2、IrF2、FeF2、RuF2、OsF2、MnF2、TcF2、ReF2、CrF3、MoF3、WF3、VF3、NbF3、TaF3、TiF4、ZrF4、HfF4和BiI3。
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