[发明专利]量子点、颜色转换面板以及包括其的显示装置

说明书

公开了一种量子点、一种颜色转换面板和一种显示装置，所述量子点包括核和位于核外侧的壳层，其中，核和壳层中的至少一个掺杂有铝、硅、钛、镁或锌，核包括III‑V族化合物。

于2017年2月14日在韩国知识产权局提交的第10-2017-0019970号发明名称为“Quantum Dot,Color Conversion Panel,and Display Device Including the Same(量子点、颜色转换面板和包括其的显示装置)”的韩国专利申请通过引用全部包含于此。

技术领域

实施例涉及量子点、颜色转换面板以及包括所述量子点和所述颜色转换面板的显示装置。

背景技术

量子点(QD)是具有量子限制效应并且显示出体态下的普通的半导体材料所没有的优异的光学和电学特性的纳米尺寸的半导体颗粒。当量子点被诸如光的能量激发时，量子点可以发射光，并且发射的光的颜色可以根据颗粒的尺寸而改变。

通过利用该量子点，可以实现具有良好的色纯度、优异的颜色再现性和良好的运动图像特性的大面积高分辨率显示装置。

该背景技术部分中公开的上述信息仅用于增强对发明的背景的理解，因此，它可以包含不形成在本国已被本领域普通技术人员所知晓的现有技术的信息。

发明内容

实施例涉及量子点、颜色转换面板以及包括所述量子点和所述颜色转换面板的显示装置。

实施例可以通过提供包括核和位于核的外侧的壳层的量子点来实现，其中，核和壳层中的至少一个掺杂有铝、硅、钛、镁或锌，并且核包括III-V族化合物。

III-V族化合物可以包括GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、GaAlNP、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb或它们的混合物。

核还可以包括II-VI族化合物，核可以包括III-V族化合物和II-VI族化合物的合金。

II-VI族化合物可以包括CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe、MgS、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe、MgZnS、HgZnTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe或它们的混合物。

壳层可以包括与核相邻的第一部分和比第一部分远离核的第二部分，壳层的第二部分可以掺杂有铝、硅、钛、镁或锌。

壳层可以包括与核相邻的第一部分和比第一部分远离核的第二部分，核和壳层的第一部分可以掺杂有铝、硅、钛、镁或锌。

核可以包括In和P，壳层可以包括Zn、Se或S，核和壳层中的至少一个可以掺杂有铝。

实施例可以通过提供颜色转换面板来实现，所述颜色转换面板包括：基底；第一颜色转换层和第二颜色转换层，设置在基底上；平坦化层，覆盖第一颜色转换层和第二颜色转换层；以及偏振层，位于平坦化层上，其中，第一颜色转换层和第二颜色转换层中的每个包括多个半导体纳米颗粒，所述多个半导体纳米颗粒中的每个半导体纳米颗粒包括核和位于所述核的外侧的壳层，并且核和壳层中的至少一个掺杂有铝、硅、钛、镁或锌。