[发明专利]一种低介低烧基板材料及其制备方法

权利要求书

1.一种低介低烧基板材料，其特征在于：所述材料的组成中至少包括了：7.0～9.0mol%的MgO，43.0～45.0 mol%的ZnO，13.0～15.0 mol%的B₂O₃，33.5～34.0 mol%的P₂O₅，0.5～1.0mol%的Ga₂O₃和0.5mol%的Sc₂O₃。

2.根据权利要求1所述的材料，其特征在于：所述基板材料是一种在15-16 GHz测试频率下的相对介电常数低于3.2、谐振频率温度系数绝对值低于70 ppm/℃、品质因数不低于11000 GHz的基板材料。

3.一种低介低烧基板材料的制备方法，其特征在于：所述方法至少包括如下步骤：将权利要求1所述组成的基板材料的粉体原料研磨混合均匀后置于坩埚中，加热到熔融状态并保温。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于：所述方法还包括熔融状态的玻璃熔液经过了急冷、凝固、碎化的步骤。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于：所述加热到熔融状态的温度为1400℃，所述保温时间为1小时。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于：所述急冷、凝固、碎化的方式为将玻璃熔液快速倒入装有水的容器中水淬。

7.根据权利要求4或5或6所述的方法，其特征在于：还包括如下步骤：将烘干的玻璃碎渣通过湿法球磨磨成D₅₀为3～5μm的玻璃粉；在制得的玻璃粉中加入3-5%PVA溶液，然后混合均匀、烘干、过筛造粒；将造粒后的玻璃粉压成生坯；

将压制好的生坯置于电炉中，以3℃/分钟的升温速度升到600 ℃保温2小时排胶，然后再升到640～700 ℃保温4小时。