[发明专利]用于垂直半导体器件的精度提高的器件体系结构和方法

权利要求书

1.一种可微调垂直半导体器件，包括：

第一垂直半导体器件；

与所述第一垂直半导体器件并联连接的第二半导体器件的集合；并且

所述第二半导体器件的集合中的每一个具有激活链路，所述激活链路连接至所述第一垂直半导体器件，用于微调所述可微调垂直半导体器件。

2.根据权利要求1所述的可微调垂直半导体器件，还包括：

所述第二半导体器件的集合中的每一个具有隔离链路，所述隔离链路连接至所述第一垂直半导体器件，用于创建所述第二半导体器件的集合的级联隔离；

其中，所述第二半导体器件的集合是第二垂直半导体器件的集合。

3.根据权利要求2所述的可微调垂直半导体器件，其中，所述第二半导体器件的集合中的每一个还包括：

连接至所述激活链路的电阻器。

4.根据权利要求2所述的可微调垂直半导体器件，其中，所述激活链路是激光熔线。

5.根据权利要求2所述的可微调垂直半导体器件，其中，所述激活链路是电可编程熔线。

6.根据权利要求5所述的可微调垂直半导体器件，其中，所述电可编程熔线具有非易失性存储器元件。

7.根据权利要求2所述的可微调垂直半导体器件，其中，所述第一垂直半导体器件是场效应器件。

8.一种可微调垂直半导体器件，包括：

具有第一栅极端子、第一源极端子和第一漏极端子的第一垂直半导体器件；

具有第二栅极端子、第二源极端子和第二漏极端子的第二半导体器件；

所述第一垂直半导体器件与所述第二半导体器件并联连接；以及

连接在所述第一栅极端子与所述第二栅极端子之间的隔离熔线。

9.根据权利要求8所述的可微调垂直半导体器件，还包括：

连接在所述第一源极端子与所述第二栅极端子之间的激活熔线；

其中，所述第二半导体器件是第二垂直半导体器件。

10.根据权利要求9所述的可微调垂直半导体器件，还包括：

第三垂直半导体器件的集合；

所述第三垂直半导体器件的集合中的每一个具有第三栅极端子、第三源极端子以及第三漏极端子；

所述第三垂直半导体器件的集合中的每一个与所述第一垂直半导体器件并联连接；

第二隔离熔线的集合，所述第二隔离熔线的集合中的每一个连接在所述第一栅极端子与所述第三垂直半导体器件的集合中的每一个第三栅极端子之间；以及

第二激活熔线的集合，所述第二激活熔线的集合中的每一个连接在所述第一源极端子与所述第三垂直半导体器件的集合中的每一个第三栅极端子之间。

11.根据权利要求10所述的可微调垂直半导体器件，还包括：

第一电阻器的集合；并且

所述第一电阻器的集合中的每一个电阻器连接在所述第二隔离熔线的集合中的每一个与所述第三垂直半导体器件的集合中的每一个第三栅极端子之间。

12.根据权利要求9所述的可微调垂直半导体器件，还包括：

连接在所述激活熔线与所述第二栅极端子之间的第一电阻器。

13.根据权利要求9所述的可微调垂直半导体器件，其中，所述第一垂直半导体器件是MOSFET器件并且所述第二垂直半导体器件是MOSFET器件。

14.根据权利要求9所述的可微调垂直半导体器件，其中，所述第一垂直半导体器件是IGBT器件并且所述第二垂直半导体器件是IGBT器件。

15.根据权利要求9所述的可微调垂直半导体器件，其中，所述第一垂直半导体器件是VDMOS并且所述第二垂直半导体器件是VDMOS器件。