[发明专利]辅助磁记录介质和磁存储装置有效
申请号: | 201810153505.X | 申请日: | 2018-02-22 |
公开(公告)号: | CN108573715B | 公开(公告)日: | 2019-08-02 |
发明(设计)人: | 丹羽和也;神边哲也;村上雄二;张磊;柴田寿人;福岛隆之;中岛悟;山口健洋 | 申请(专利权)人: | 昭和电工株式会社 |
主分类号: | G11B5/65 | 分类号: | G11B5/65;G11B5/64;G11B5/66 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 庞东成;张志楠 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 辅助磁记录 磁存储装置 磁记录介质 磁性层 钉扎层 合金 结晶结构 写入信息 信噪比 读入 基板 噪音 | ||
1.一种辅助磁记录介质,其依次具有基板、底层以及磁性层,该磁性层以具有L10型结晶结构的合金作为主成分,其特征在于,
上述辅助磁记录介质具有与上述磁性层相接的钉扎层,上述钉扎层包含Co或以Co为主成分的合金,构成上述钉扎层的磁性材料的居里温度PTc与构成上述磁性层的磁性材料的居里温度MTc之差PTc-MTc为200K以上。
2.如权利要求1所述的辅助磁记录介质,其特征在于,上述钉扎层具有如下功能:钉扎将磁信息写入上述磁性层时的磁性颗粒的磁化方向。
3.如权利要求1或2所述的辅助磁记录介质,其特征在于,上述钉扎层具有粒状结构,
该粒状结构包含:
Co或以Co为主成分的合金;以及
选自由SiO2、Cr2O3、TiO2、B2O3、GeO2、MgO、Ta2O5、CoO、Co3O4、FeO、Fe2O3和Fe3O4组成的组中的至少一种氧化物。
4.如权利要求1或2所述的辅助磁记录介质,其特征在于,上述钉扎层的层厚为0.5nm以上5nm以下。
5.如权利要求1或2所述的辅助磁记录介质,其特征在于,其在上述磁性层的与上述基板相反的一侧具有上述钉扎层。
6.一种磁存储装置,其包含:权利要求1~5中任一项所述的辅助磁记录介质、用于使上述辅助磁记录介质旋转的磁记录介质驱动部、对上述辅助磁记录介质进行记录动作和再现动作的磁头、用于使上述磁头移动的磁头驱动部、以及记录/再现信号处理系统。
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