[发明专利]辅助磁记录介质和磁存储装置有效

专利信息
申请号: 201810153505.X 申请日: 2018-02-22
公开(公告)号: CN108573715B 公开(公告)日: 2019-08-02
发明(设计)人: 丹羽和也;神边哲也;村上雄二;张磊;柴田寿人;福岛隆之;中岛悟;山口健洋 申请(专利权)人: 昭和电工株式会社
主分类号: G11B5/65 分类号: G11B5/65;G11B5/64;G11B5/66
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 庞东成;张志楠
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 辅助磁记录 磁存储装置 磁记录介质 磁性层 钉扎层 合金 结晶结构 写入信息 信噪比 读入 基板 噪音
【权利要求书】:

1.一种辅助磁记录介质,其依次具有基板、底层以及磁性层,该磁性层以具有L10型结晶结构的合金作为主成分,其特征在于,

上述辅助磁记录介质具有与上述磁性层相接的钉扎层,上述钉扎层包含Co或以Co为主成分的合金,构成上述钉扎层的磁性材料的居里温度PTc与构成上述磁性层的磁性材料的居里温度MTc之差PTc-MTc为200K以上。

2.如权利要求1所述的辅助磁记录介质,其特征在于,上述钉扎层具有如下功能:钉扎将磁信息写入上述磁性层时的磁性颗粒的磁化方向。

3.如权利要求1或2所述的辅助磁记录介质,其特征在于,上述钉扎层具有粒状结构,

该粒状结构包含:

Co或以Co为主成分的合金;以及

选自由SiO2、Cr2O3、TiO2、B2O3、GeO2、MgO、Ta2O5、CoO、Co3O4、FeO、Fe2O3和Fe3O4组成的组中的至少一种氧化物。

4.如权利要求1或2所述的辅助磁记录介质,其特征在于,上述钉扎层的层厚为0.5nm以上5nm以下。

5.如权利要求1或2所述的辅助磁记录介质,其特征在于,其在上述磁性层的与上述基板相反的一侧具有上述钉扎层。

6.一种磁存储装置,其包含:权利要求1~5中任一项所述的辅助磁记录介质、用于使上述辅助磁记录介质旋转的磁记录介质驱动部、对上述辅助磁记录介质进行记录动作和再现动作的磁头、用于使上述磁头移动的磁头驱动部、以及记录/再现信号处理系统。

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