[发明专利]移位寄存器单元、栅极驱动电路、显示装置以及驱动方法有效
申请号: | 201810153520.4 | 申请日: | 2018-02-14 |
公开(公告)号: | CN109935208B | 公开(公告)日: | 2021-03-02 |
发明(设计)人: | 冯雪欢;李永谦 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | G09G3/3266 | 分类号: | G09G3/3266;G11C19/28 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 王娟 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 移位寄存器 单元 栅极 驱动 电路 显示装置 以及 方法 | ||
1.一种移位寄存器单元组,包括:
级联的n个移位寄存器单元,所述移位寄存器单元组中的第i级移位寄存器单元包括
显示输入子电路,配置成从显示输入端接收显示输入信号,并根据显示输入信号在一帧的显示时段将显示上拉信号输入到第一上拉节点;
消隐输入子电路,配置成从消隐输入端接收消隐输入信号,并根据消隐输入信号在一帧的消隐时段将消隐上拉信号输入到第一上拉节点,其中,所述消隐输入子电路包括:
隔离子电路,配置成在一帧的消隐时段,根据所述消隐输入信号将所述消隐上拉信号输入到所述第一上拉节点,所述隔离子电路包括隔离晶体管;
输出子电路,配置成在所述第一上拉节点的控制下,经由输出端输出复合输出信号;
第一防漏电子电路,其配置成在消隐上拉控制节点的控制下,将工作电位输入到所述隔离晶体管的第一极;
第二防漏电子电路,其配置成在所述第一上拉节点的控制下,将工作电位输入到所述隔离晶体管的第二极;
其中,所述n个移位寄存器单元输出的n个复合输出信号之间存在重叠,其中n、i是正整数,1≤i≤n。
2.根据权利要求1所述的移位寄存器单元组,其中,所述消隐输入子电路包括:
充电子电路,配置成根据所述消隐输入信号将所述消隐输入信号输入到消隐上拉控制节点;
存储子电路,其一端连接消隐上拉控制节点,配置成存储消隐上拉控制信号。
3.根据权利要求2所述的移位寄存器单元组,所述第i级移位寄存器单元还包括:
显示复位子电路,配置成在显示复位控制信号的控制下对所述第一上拉节点进行复位。
4.根据权利要求3所述的移位寄存器单元组,所述第i级移位寄存器单元还包括:
消隐复位子电路,配置成在一帧的消隐时段结束前,在消隐复位控制信号的控制下对所述第一上拉节点和/或所述输出端进行复位。
5.根据权利要求4所述的移位寄存器单元组,其中,
所述输出子电路包括至少一个移位信号输出端以及至少一个像素信号输出端。
6.根据权利要求5所述的移位寄存器单元组,所述第i级移位寄存器单元还包括:
下拉控制子电路,配置成根据所述第一上拉节点控制下拉节点的电位;
下拉子电路,配置成在所述下拉节点的控制下,将所述第一上拉节点和所述输出端下拉为非工作电位。
7.根据权利要求2所述的移位寄存器单元组,其中,
所述充电子电路包括充电晶体管,其第一极和/或控制极连接所述消隐输入端,第二极连接所述消隐上拉控制节点;以及
所述存储子电路包括第一电容,其第一端连接所述消隐上拉控制节点。
8.根据权利要求1所述移位寄存器单元组,其中,
所述显示输入子电路包括第一显示输入晶体管,其第一极连接所述第一上拉节点,第二极和/或控制极连接所述显示输入端;
所述输出子电路包括输出晶体管和输出电容,其中所述输出晶体管的第一极连接输出时钟信号线,第二极连接输出端,控制极连接所述第一上拉节点,所述输出电容的第一端连接所述第一上拉节点,第二端连接所述输出端。
9.根据权利要求8所述的移位寄存器单元组,其中,所述显示输入子电路还包括第二显示输入晶体管,所述第一显示输入晶体管的第一极经由所述第二显示输入晶体管连接到所述第一上拉节点,所述第二显示输入晶体管的第一极和控制极相连,并连接到所述第一显示输入晶体管的第一极,第二极连接所述第一上拉节点。
10.根据权利要求3所述的移位寄存器单元组,其中,
所述显示复位子电路包括显示复位晶体管,其第一极连接所述第一上拉节点,控制极连接显示复位控制端,第二极连接显示复位信号线。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810153520.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。