[发明专利]一种深紫外LED封装结构及其制作方法

权利要求书

1.一种深紫外LED封装结构，其特征在于，包括：

深紫外LED芯片和具有开口向上的下凹空腔的支架，所述空腔的内底壁上包括附着有N层第一金属层的第一涂覆区和附着有N层第二金属层的第二涂覆区，所述第一涂覆区和所述第二涂覆区间隔设置且电学相异，所述深紫外LED芯片跨设在所述第一金属层和第二金属层之间；N≥1且为整数；

减反层，所述减反层附着在所述深紫外LED芯片表面；

透光绝缘层，所述透光绝缘层附着于所述第一金属层和第二金属层的外表面中未与所述深紫外LED芯片接触的区域；

透光盖板，所述透光盖板覆盖在所述支架的开口处与所述空腔构成闭合空间；

所述透光盖板的上表面具有M层减反膜，所述透光盖板的下表面具有M层增透膜；M≥1且为整数。

2.根据权利要求1所述的深紫外LED封装结构，其特征在于，所述减反层的本征折射率小于所述深紫外LED芯片衬底材料的折射率。

3.根据权利要求2所述的深紫外LED封装结构，其特征在于，所述减反层的材料选自氧化硅、氮化硅、氧化铝、氧化钛、氟化镁、氟化钙、硫化铅、石英中的一种或多种。

4.根据权利要求1至3任一所述的深紫外LED封装结构，其特征在于，所述透光绝缘层的材料选自氧化硅、氮化硅、氧化铝、氧化钛、氟化镁、氟化钙、硫化铅、石英中的一种或多种。

5.根据权利要求1所述的深紫外LED封装结构，其特征在于，所述第一金属层中的每一层的材料选自铝、银、金、铜、锡、铅、铂中的一种或多种；

所述第二金属层中的每一层的材料选自铝、银、金、铜、锡、铅、铂中的一种或多种。

6.根据权利要求4所述的深紫外LED封装结构，其特征在于，还包括齐纳二极管；

所述齐纳二极管设置在所述第一金属层和/或第二金属层上。

7.根据权利要求1所述的深紫外LED封装结构，其特征在于，所述深紫外LED芯片选自发光面具有半球状阵列结构的深紫外LED芯片、发光面具有光子晶体结构的深紫外LED芯片、发光面具有表面粗化结构的深紫外LED芯片和发光面具有滤光薄膜的深紫外LED芯片的一种。

8.一种权利要求1-7任一所述的深紫外LED封装结构的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)在具有开口向上的下凹空腔的支架的内底壁的第一涂覆区涂覆N层第一金属层，第二涂覆区涂覆N层第二金属层，所述第一涂覆区和所述第二涂覆区间隔设置；

2)将紫外LED芯片跨设焊接在所述第一金属层和第二金属层之间；

3)在所述紫外LED芯片表面涂覆减反层；在所述第一金属层和第二金属层的外表面中未与所述深紫外LED芯片接触的区域涂覆透光绝缘层；其中，所述减反层和所述透光绝缘层的材料相同；

4)将透光性盖板覆盖在所述支架开口处；

所述步骤4)之前，在所述透光性盖板的上表面形成减反膜，在透光性盖板的下表面形成增透膜。

9.一种权利要求1-7任一所述的深紫外LED封装结构的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)在具有开口向上的下凹空腔的支架的内底壁的第一涂覆区涂覆N层第一金属层，第二涂覆区涂覆N层第二金属层，所述第一涂覆区和所述第二涂覆区间隔设置；

2)在所述第一金属层和第二金属层的外表面中不与深紫外LED芯片接触的区域涂覆透光绝缘层；

3)在紫外LED芯片表面涂覆减反层后，将所述紫外LED芯片跨设焊接在所述第一金属层和第二金属层之间；

4)将透光性盖板覆盖在所述支架开口处；

所述步骤4)之前，在所述透光性盖板的上表面形成减反膜，在透光性盖板的下表面形成增透膜。