[发明专利]一种低维无铅钙钛矿薄膜及其无铅钙钛矿太阳能电池制备方法有效

专利信息
申请号: 201810154056.0 申请日: 2018-02-22
公开(公告)号: CN108321299B 公开(公告)日: 2019-06-25
发明(设计)人: 陈永华;邱健;夏英东;黄维 申请(专利权)人: 南京工业大学
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42;H01L51/48
代理公司: 南京知识律师事务所 32207 代理人: 吴频梅
地址: 210009 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 低维 无铅 制备 太阳能电池制备 钙钛矿薄膜 锡基钙钛矿 钙钛矿 旋涂 致密 光电转化效率 空穴传输层 器件稳定性 晶粒 太阳能电池 薄膜表面 光电材料 混合溶剂 器件领域 退火处理 基底 沉积 薄膜 加热 平整 简易
【权利要求书】:

1.一种低维无铅钙钛矿太阳能电池制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

(1)将丁胺的碘盐,氯甲胺,碘化亚锡以及氟化亚锡按摩尔比2:3:4:0.8溶于特殊的混合溶剂中配置成低维锡基钙钛矿前驱液,在30-120℃下搅拌3-5小时;

(2)在清洗并且处理过的ITO透明导电玻璃上旋涂沉积空穴传输材料;

(3)在沉积有空穴传输层的ITO基底上,利用加热旋涂技术沉积低维锡基钙钛矿薄膜,经过退火处理后得到平整致密的超大晶粒锡基钙钛矿薄膜;

(4)在此钙钛矿薄膜上旋涂沉积电子传输层;

(5)在电子传输层上接着真空热蒸镀界面修饰层和金属电极;

所述的步骤(1)中特殊的混合溶剂为醋酸甲胺和二甲基亚枫的混合溶剂,其中醋酸甲胺体积比二甲基亚枫体积为25%-400%。

2.根据权利要求1所述的低维无铅钙钛矿太阳能电池制备方法,其特征在于:所述的步骤(1)中钙钛矿前驱液浓度为100-300mg/mL。

3.根据权利要求1所述的低维无铅钙钛矿太阳能电池制备方法,其特征在于:所述的步骤(2)中透明导电ITO电极上沉积的空穴传输层为PEDOT:PSS,具体步骤为:旋涂PEDOT:PSS后,在120℃下退火30min。

4.根据权利要求1所述的低维无铅钙钛矿太阳能电池制备方法,其特征在于:所述的步骤(3)中加热旋涂技术的基板温度为40-120℃。

5.根据权利要求1所述的低维无铅钙钛矿太阳能电池制备方法,其特征在于:所述的步骤(4)中旋涂沉积的电子传输层为PCBM,其中PCBM以18mg/mL的浓度溶于氯苯溶液中。

6.根据权利要求1所述的低维无铅钙钛矿太阳能电池制备方法,其特征在于:所述的步骤(5)中界面修饰层为LiF,金属电极为Al,具体步骤为:

(1)LiF热蒸镀在电子传输层上,厚度为1nm;

(2)金属Al电极厚度为100nm。

7.根据权利要求1-6任一所述的低维无铅钙钛矿太阳能电池制备方法制备的钙钛矿太阳能电池。

8.根据权利要求7所述的低维无铅钙钛矿太阳能电池制备方法制备的钙钛矿太阳能电池在光电领域中的应用。

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