[发明专利]生长镓氮化物半导体层的方法

权利要求书

1.一种生长镓氮化物半导体层的方法，该方法包括：

准备衬底，所述衬底为异质衬底；

在所述衬底的表面上形成铝氮化物种籽；

在该衬底上从所述铝氮化物种籽生长镓氮化物半导体点；以及

以该镓氮化物半导体点为核从该镓氮化物半导体点生长镓氮化物半导体层，所述镓氮化物半导体层包括与所述衬底接界的表面，

其中在该镓氮化物半导体层的生长期间形成应力释放层，在该应力释放层中该镓氮化物半导体点彼此连接；

其中该镓氮化物半导体点大多数具有0.4μm至0.8μm的尺寸；并且

其中该应力释放层在与该镓氮化物半导体层生长的温度相同的温度下与该镓氮化物半导体层连续生长。

2.如权利要求1所述的方法，其中该镓氮化物半导体层具有一厚度，该厚度等于或大于该应力释放层的厚度。

3.如权利要求1所述的方法，其中该应力释放层的厚度为约1μm至100μm。

4.如权利要求1所述的方法，其中该镓氮化物半导体层利用卤化物气相外延法形成。

5.如权利要求4所述的方法，其中在利用卤化物气相外延法在该衬底上生长该镓氮化物半导体层时该镓氮化物半导体点原位形成。

6.如权利要求1所述的方法，其中该镓氮化物半导体点沿一个方向布置。

7.如权利要求1所述的方法，其中所生长的镓氮化物半导体层的厚度依赖于所述镓氮化物半导体点的尺寸。

8.如权利要求1所述的方法，其中所生长的镓氮化物半导体层的厚度为100μm至1000μm。

9.如权利要求1所述的方法，其中该镓氮化物半导体点具有六角晶体结构。

10.如权利要求1所述的方法，其中该衬底是蓝宝石衬底。

11.如权利要求1所述的方法，其中该镓氮化物半导体层通过激光浮脱法从该衬底分离从而用作镓氮化物半导体衬底。

12.如权利要求11所述的方法，其中该镓氮化物半导体点在该镓氮化物半导体层的所述表面上或附近。