[发明专利]一种大功率MOS管检测系统及方法

权利要求书

1.一种大功率MOS管检测系统，包括被测MOS管、采样检测电路单元、栅极电压电源、漏极电压电源、D/A转换单元、单片机控制及数据处理单元、计算机、显示单元及键盘，其特征在于：所述被测MOS管为批量被测MOS管，且所述批量被测MOS管设置为插在并列放置的对应批量的卡槽内，所述被测MOS管的输出端与所述采样检测电路单元的输入端连接，所述采样检测电路单元的输出端与所述单片机控制及数据处理单元的输入端连接，所述单片机控制及数据处理单元的输出端与所述D/A转换单元的输入端连接，所述D/A转换单元的输出端与所述栅极电压电源的输入端连接，所述栅极电压电源的输出端与所述被测MOS管的输入端连接，所述单片机控制及数据处理单元控制所述漏极电压电源，且所述漏极电压电源的输出端与所述被测MOS管的输入端连接，所述单片机控制及数据处理单元的输出端还连接有计算机、显示单元以及键盘，其中所述计算机设置为处理采集被测MOS管的数据，所述显示单元设置为显示被测MOS管的漏极电流的电流值，所述键盘设置为设定输入被测MOS管栅极的电压值并提供漏极电压。

2.根据权利要求1所述的一种大功率MOS管检测系统，其特征在于：所述漏极电压电源为直流开关电源，输出直流电压为50V, 并且所述漏极电压电源设置为检测被测MOS管的漏极电压；所述栅极电压电源为通过所述单片机控制及数据处理单元控制的输出直流电压电源，且输出电压范围为0-10Ⅴ，所述栅极电压电源设置为检测被测MOS管的栅极电压。

3.根据权利要求1所述的一种大功率MOS管检测系统，其特征在于：所述采样检测电路单元为2个以上并联连接的采样检测电路单元，且每个采样检测电路单元均包括信号放大电路、A/D转换电路以及单片机电路，其中所述信号放大电路的输出端与所述A/D转换电路的输入端连接，所述A/D转换电路的输出端与所述单片机电路的输入端连接，所述单片机电路的输入端与所述单片机控制及数据处理单元的输入端连接。

4.根据权利要求3所述的一种大功率MOS管检测系统，其特征在于：所述信号放大电路为基于芯片INA333AIDGK的第一放大器U12的信号放大电路，所述A/D转换电路为基于芯片ADS8317IBDGK的第一A/D转换器U14的A/D转换电路, 所述单片机电路配置有SWD 调试接口。

5.根据权利要求1所述的一种大功率MOS管检测系统，其特征在于：所述D/A转换单元为基于芯片LTC2604 U18的D/A转换电路，所述芯片LTC2604 U18的输出端连接有基于芯片NA333AIDGK 的第二放大器U15，所述第二放大器U15的输出端连接有基于芯片OP177EP 的第一运算放大器U17，所述D/A转换单元设置为将所述单片机控制及数据处理单元的输出数字量信号转换成模拟量信号，且所述D/A转换单元还连接有显示电路。

6.根据权利要求5所述的一种大功率MOS管检测系统，其特征在于：所述显示电路包括与所述第一运算放大器U17的输出端连接成反馈的第二运算放大器U11，所述第二运算放大器U11的输出端连接有第三运算放大器U20，所述第三运算放大器U20的输出端连接有基于ADS8317IBDGK的第二A/D转换器U21，所述第二A/D转换器U21的输出端连接至芯片LTC2604U18。

7.根据权利要求6所述的一种大功率MOS管检测系统，其特征在于：所述第一运算放大器U17还并联连接有报警窗口电路和过载窗口电路。

8.根据权利要求1所述的一种大功率MOS管检测系统，其特征在于：所述显示单元为显示所述MOS管的电流值的数码管。