[发明专利]一种离子注入设备及其离子注入方法

说明书

本发明公开了一种离子注入设备及其离子注入方法，对离子注入设备进行改造，在工艺腔与分析磁场之间增加空置挡板，空置挡板在离子注入以外的时段隔离工艺腔与分析磁场，可以减少工艺腔中的剥落物，降低特性亮暗点发生率，实现高品质显示画面。且可有效缓解工艺腔被污染的速度，提高其自清洁能力，从而延长工艺腔开腔清洁的周期。并且，在工程师打开工艺腔进行清洁之前，关闭空置挡板，使分析磁场和工艺腔分开，分析磁场的真空环境得以保留，在后续只需要对工艺腔恢复真空即可，可减少设备停机时间，可以从12小时减少到6小时。

技术领域

本发明涉及显示制造技术领域，尤其涉及一种离子注入设备及其离子注入方法。

背景技术

离子注入技术是在半导体制造行业中精准可控地调节薄膜晶体管(TFT，ThinFilm Transistor)沟道阈值电压和半导体层接触电阻的技术。在现有的离子注入机中，工艺气体及设备本身产生的剥落物(副产物)容易遮挡离子束引起注入异常，导致由TFT控制的显示屏特性亮暗点不良的发生，尤其是在对TFT要求较为严格的有机电致发光显示面板(OLED，Organic Light Emitting Display)中尤为明显，这已经成为了注入性能的主要制约。

因此，如何有效降低注入腔即工艺腔中的悬浮剥落物含量，有效避免离子束被遮挡引起的电性异常，从而从源头降低特性亮暗点不良的发生率，是本领域亟需解决的技术问题。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供了一种离子注入设备及其离子注入方法，用以解决现有的工艺腔内悬浮剥落物含量较大的问题。

本发明实施例提供了一种离子注入设备，包括：传送腔，与所述传送腔通过阀门连接的工艺腔，通过束流腔与所述工艺腔连接的分析磁场，以及与所述分析磁场连接的离子源；其中，

在所述工艺腔与所述分析磁场之间具有空置挡板，所述空置挡板用于在离子注入以外的时段，隔离所述工艺腔与所述分析磁场。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述离子注入设备中，还包括：第一法拉第杯和第二法拉第杯；

所述第一法拉第杯位于所述空置挡板面向所述分析磁场的表面；

所述第二法拉第杯位于所述工艺腔面向所述分析磁场的表面。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述离子注入设备中，所述空置挡板位于所述束流腔与所述分析磁场连接处的内壁和/或外壁。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述离子注入设备中，所述空置挡板位于所述束流腔内的束流孔面向所述工艺腔的侧壁和/或所述束流腔内的束流孔面向所述分析磁场的侧壁。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述离子注入设备中，所述空置挡板位于所述束流腔与所述工艺腔连接处的外壁和/或内壁。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述离子注入设备中，还包括：与所述工艺腔连接的第一分子泵，以及与所述第一分子泵连接的第一干泵。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述离子注入设备中，还包括：与所述传送腔连接的第二分子泵，以及与所述第二分子泵连接的第二干泵。

另一方面，本发明实施例还提供了一种使用上述离子注入设备进行离子注入的方法，包括：

在离子注入时段，控制所述空置挡板处于打开状态，以导通所述工艺腔与所述分析磁场；

在离子注入以外的时段，控制所述空置挡板处于闭合状态，以隔离所述工艺腔与所述分析磁场。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述方法中，所述在离子注入以外的时段，控制所述空置挡板处于闭合状态，以隔离所述工艺腔与所述分析磁场，具体包括：