[发明专利]半导体装置封装

说明书

半导体装置封装包含衬底、第一绝缘层、支撑膜及互连结构。所述衬底具有第一侧壁、第一表面及与所述第一表面相对的第二表面。所述第一绝缘层处于所述衬底的所述第一表面上并且具有第二侧壁。所述第一绝缘层具有第一表面及邻近于所述衬底且与所述第一绝缘层的所述第一表面相对的第二表面。所述支撑膜处于所述衬底的所述第二表面上并且具有第三侧壁。所述支撑膜具有邻近于所述衬底的第一表面及与所述支撑膜的所述第一表面相对的第二表面。所述互连结构通过所述第一绝缘层及所述支撑膜从所述第一绝缘层的所述第一表面延伸到所述支撑膜的所述第二表面。所述互连结构覆盖所述第一、第二及第三侧壁。

技术领域

本发明涉及一种半导体装置封装及一种制造半导体装置封装的方法。具体而言，本发明涉及一种半导体装置封装，包含用于电气互连的穿玻璃通孔(TGV)。

背景技术

半导体装置封装的集成无源装置(IPD)可包含用于电气互连的穿玻璃通孔(TGV)。钻孔技术用于在相对厚(例如，大于约300微米(μm))的玻璃衬底中形成TGV。支撑/保护膜(例如，味之素堆积膜(ABF))可用于处理相对薄(例如，小于约300μm)的玻璃衬底。在此类情况下，ABF膜可涂覆到玻璃衬底的两侧并且可在衬底上两次执行钻孔操作以形成TGV。然而，钻孔操作可损坏玻璃衬底，尤其相对薄的玻璃衬底。此外，ABF的平坦度不够好，并且可能会不利地影响后续过程(例如，形成电容器的过程)。

发明内容

在一或多个实施例中，半导体装置封装包含衬底、第一绝缘层、支撑膜及互连结构。所述衬底具有第一侧壁、第一表面及与所述第一表面相对的第二表面。所述第一绝缘层处于所述衬底的所述第一表面上并且具有第二侧壁。所述第一绝缘层具有第一表面及邻近于所述衬底且与所述第一绝缘层的所述第一表面相对的第二表面。所述支撑膜处于所述衬底的所述第二表面上并且具有第三侧壁。所述支撑膜具有邻近于所述衬底的第一表面及与所述支撑膜的所述第一表面相对的第二表面。所述互连结构通过所述第一绝缘层及所述支撑膜从所述第一绝缘层的所述第一表面延伸到所述支撑膜的所述第二表面。所述互连结构覆盖所述第一、第二及第三侧壁。

在一或多个实施例中，半导体装置封装包含衬底、第一支持膜、第二支撑膜及互连结构。所述衬底具有第一侧壁、第一表面及与所述第一表面相对的第二表面。所述第一支撑膜处于所述衬底的所述第二表面上并且具有底部表面及第二侧壁。所述第二支撑膜处于所述衬底的所述第一表面上并且具有顶部表面及第三侧壁。所述互连结构通过所述第一支撑膜及所述第二支撑膜从所述第二支撑膜的顶部表面延伸到所述第一支撑膜的底部表面。所述互连结构覆盖所述第一、第二及第三侧壁。

在一或多个实施例中，用于制造半导体装置封装的方法包含提供衬底，所述衬底具有侧壁、第一表面及与所述第一表面相对的第二表面；将支撑膜安置于所述衬底的所述第二表面上；将第一绝缘层安置于所述衬底的所述第一表面上；形成穿透所述衬底、所述第一绝缘层及所述支撑膜的通孔，其中所述通孔由所述衬底的所述侧壁、所述第一绝缘层的侧壁及所述支撑膜的侧壁限定或界定；及安置覆盖所述衬底、所述第一绝缘层及所述支撑膜的所述侧壁的互连结构。

在一或多个实施例中，用于制造半导体装置封装的方法包含提供衬底，所述衬底具有侧壁、第一表面及与所述第一表面相对的第二表面；将第一支撑膜安置于所述衬底的所述第二表面上；将第二支撑膜安置于所述衬底的所述第一表面上；形成穿透所述衬底、所述第一支撑膜及所述第二支撑膜的通孔，其中所述通孔由所述衬底的所述侧壁、所述第一支撑膜的侧壁及所述第二支撑膜的侧壁限定或界定；及安置覆盖所述衬底、所述第一支撑膜及所述第二支撑膜的所述侧壁的互连结构。

附图说明

图1是根据本发明的一些实施例的半导体装置封装的截面图。

图2A是根据本发明的一些实施例的半导体装置封装的截面图。

图2B是根据本发明的一些实施例的半导体装置封装的截面图。