[发明专利]半导体结构的形成方法在审
| 申请号： | 201810154965.4 | 申请日： | 2018-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN109817582A | 公开（公告）日： | 2019-05-28 |
| 发明（设计）人： | 王俊杰;张世杰;李承翰;杨怀德;沙哈吉·B·摩尔;潘正扬 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L29/78 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张福根;冯志云 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅籽晶层 凹陷 硅外延层 碳掺杂 晶面 蚀刻 半导体结构 外延生长硅 缺陷生长 生长硅锗 外延生长 应变通道 外延层 硅锗 填入 锗层 生长 制作 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体结构的形成方法，包括：
提供一第一掺杂区于一基板的顶部上，其中所述第一掺杂区包括一第二掺杂顶区；
生长一第一外延层于所述第二掺杂顶区上；
形成一凹陷于所述第一外延层中，且所述凹陷对准所述第二掺杂顶区，其中形成所述凹陷的步骤包括蚀刻所述第一外延层直到露出所述第二掺杂顶区；以及
形成一第二外延层于所述凹陷中，其中形成所述第二外延层的步骤包括：
在一第一温度形成一籽晶层于所述凹陷中；以及
在一第二温度形成所述第二外延层于所述籽晶层上以填入所述凹陷，且所述第二温度高于所述第一温度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
