[发明专利]通过激光进行框架类集成电路塑料封装的制备方法

说明书

本发明涉及一种通过激光进行框架类集成电路塑料封装的制备方法，其特征是，包括以下步骤：（1）在引线框架上进行芯片键合；（2）在一副模具中将已经完成装片、键合的引线框架利用环氧树脂包封起来，形成封装本体；（3）根据封装尺寸需求，除去引脚上方多余的封装塑料，刻蚀出引线框架正面的封装本体的形状；（4）根据封装尺寸需求，除去引脚下方多余的封装塑料，刻蚀出引线框架背面的封装本体的形状；（5）将外引脚之间多余的环氧树脂去除；（6）去飞边、电镀、打印、成型完成整个封装，并分割为单个完整的封装体。本发明能够改进包封模具与不同尺寸封装体“一对一”的现状，通过刻蚀的方法，实现利用一付模具完成多种框架类塑封的功能。

技术领域

本发明涉及一种集成电路封装的制备方法，尤其是一种通过激光进行框架类集成电路塑料封装的制备方法，属于集成电路制造技术领域。

背景技术

目前QFP、SOP之类的框架类塑料封装均通过注塑模进行包封，不同塑封体尺寸的封装需要使用不同的包封模具，对于小批量多品种的科研生产或者新的封装框架的研发，制备相应的模具需要大量成本，这对于研发工作是一个严重的制约。

发明内容

本发明的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种通过激光进行框架类集成电路塑料封装的制备方法，改进包封模具与不同尺寸封装体“一对一”的现状，通过刻蚀的方法，实现利用一付模具完成多种框架类塑封的功能。

按照本发明提供的技术方案，一种通过激光进行框架类集成电路塑料封装的制备方法，其特征是，包括以下步骤：

（1）在引线框架上进行芯片键合；

（2）在一副模具中将已经完成装片、键合的引线框架利用环氧树脂包封起来，形成封装本体；

（3）根据封装尺寸需求，除去引脚上方多余的封装塑料，刻蚀出引线框架正面的封装本体的形状；

（4）根据封装尺寸需求，除去引脚下方多余的封装塑料，刻蚀出引线框架背面的封装本体的形状；

（5）将外引脚之间多余的环氧树脂去除；

（6）去飞边、电镀、打印、成型完成整个封装，并分割为单个完整的封装体。

进一步地，所述芯片通过装片胶与引线框架进行安装，芯片和引线框架之间由键合引线连接。

进一步地，所述步骤（3）、步骤（4）、步骤（5）中均采用激光加工的方法除去多余的封装塑料。

本发明所述通过激光进行框架类集成电路塑料封装的制备方法，在一付模具上使用环氧树脂对芯片、键合引线及框架进行包封；之后再通过激光加工的方法去除多余塑料，露出外引脚，刻蚀出封装本体的形状；最后通过电镀、打印、成型等工艺，形成完整独立的封装体。与现有QFP、SOP类型的封装方法相比，本发明可通过一付包封模具完成不同外观尺寸的封装，节约了开模成本，提升了模具的兼容性。

附图说明

图1为引线框架上芯片键合后的示意图。

图2为采用环氧树脂封装得到封装本体的示意图。

图3为去除引脚上方多余封装塑料的示意图。

图4为去除引脚下方多余封装塑料的示意图。

附图标记说明：1-芯片、2-引线框架、3-键合引线、4-装片胶、5-环氧树脂。

具体实施方式

下面结合具体附图对本发明作进一步说明。

本发明所述通过激光进行框架类集成电路塑料封装的制备方法，包括以下步骤：